【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】SiC开发板搭建简易Boost电路拓扑

今天主要对评估板进行了Boost拓扑的实现，通过评估板半桥的结构，搭建Boost降压电路。Boost电路的拓扑结构如下。

相较于Buck电路，我们除了电源外，需要准备的器件就只有电感了，HVdc处的电容器评估板已经为大家准备了，是两个10uF，1250V耐压的薄膜电容器，就是电路最大的两块蓝色物体，在电路图中的位置如下：

这个电路只控制下管，通过电感下管导通时对电容充电，在下管截止时，电感阻止电流回流，促使输出端电压不断抬高，从而时HVdc的电压高于输入端。

准备的条件如下：

1 HVdc 输入高电压；

2 12V 控制电压；

3 下管PWM控制脉冲；

4 由电感和薄膜电容组成的电路拓扑；

为此，个人准备了一个电感，外观如下：

到这里，元件到位，开始合体，搭建测试环境如下：

按照先弱电后强电的安全规则，线上电12V控制电，后输入电压12V，由于开关频率使用了2KHz的频率，电感器开始刺耳的啸叫起来，控制到驱动正常工作，观测波形，输入电压10V，输出电压43.5V，实现了Boost电路拓扑。

上电用时时间测量如下：