【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】开箱报告

期待楼主后续的分享

目前按这个DC-DC拓扑在设计。

在si-mos上面增加了一个散热器。

采用cpld设计程序，目前占空比输出可控，并且两路输出互补。

本评估板为半桥拓扑，功能非常丰富，可以实现高侧上管双脉冲，低侧下管双脉冲，Boost，同步整流Buck等拓扑，本文主要测试的是半桥buck拓扑，
首先看看buck拓扑结构；

如上图，这个拓扑结构相对简单的，连线就根据pdf给的端子定义，辅助电源供电12V，拓扑主电源可以12-650V不等，
使用SCT3080KL开关管，外接电感480uh，电容100uF，占空比设置50%

使用散热片对mos进行散热，开关频率设置100Khz，
对于mos有缓冲电路的效果如下：

mosfet前级保护效果图：

本设计中开关频率到达500Khz，依然跑着比较好的效果，本系统的触发信号采样cpld实现，能够实现较高效率，mosfet的性能还是非常不错。

本评估板功能非常强大，还是非常感谢电子发烧友和rohm这个平台，由于时间关系，没有每个系统进行评估，
1. 这是非常强大的SiC器件评估板，各种保护、缓冲、逻辑控制都做的很好。可以测试多种器件，多种电路，多种驱动方案，PCB做工、用料扎实，PCB的测试点设计非常人性化，手册内容很全面，有一点问题就是mosfet没有那种接口不需要焊接的接口，能够对不同型号种类的mosfet进行评估，这个每次要进行焊接然后拆除。
2.rohm的mosfet效率很高，可靠性很好，在电源设计中能够保证很好的散热，可以设计更高的功率密度，
3.评估能自带一些测评的资料，这里面的资料还是有限，对各个拓扑又实测资料，
4.这个板卡设计接线方面端子设计能放一边会更好，
总的来说rohm的功率器件是没有话说，评估板功能强大，能够对各类型的mos进行精确的评估，还是非常关系rohm，电子发烧友。

本评估板功能非常强大，还是非常感谢电子发烧友和rohm这个平台，由于时间关系，没有每个系统进行评估，
1. 这是非常强大的SiC器件评估板，各种保护、缓冲、逻辑控制都做的很好。可以测试多种器件，多种电路，多种驱动方案，PCB做工、用料扎实，PCB的测试点设计非常人性化，手册内容很全面，有一点问题就是mosfet没有那种接口不需要焊接的接口，能够对不同型号种类的mosfet进行评估，这个每次要进行焊接然后拆除。
2.rohm的mosfet效率很高，可靠性很好，在电源设计中能够保证很好的散热，可以设计更高的功率密度，
3.评估能自带一些测评的资料，这里面的资料还是有限，对各个拓扑又实测资料，
4.这个板卡设计接线方面端子设计能放一边会更好，
总的来说rohm的功率器件是没有话说，评估板功能强大，能够对各类型的mos进行精确的评估，还是非常关系rohm，电子发烧友。