【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】开箱报告

首先感谢罗姆公司提供的开发板试用机会，本人作为高校学生，一直从事电源管理方向的研究，想向大功率的方向发展。SiC作为第三代半导体为功率电子的发展提供了很大的潜力，现在比较成熟的SiC器件制造厂商有罗姆，英飞凌，Cree，意法半导体等，因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型，之前也有了解一些SiC管性能参数，下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以对比仿真结果，测试SiC功率管的实际工作状态。

本次报告主要是开箱拍的一些图和介绍对于板子的学习情况。

包装坚固严实的纸箱

在海绵中保护的测试板和随板附带的安全注意事项

测试板的正面图

背面图，高压区域划分的比较明显

对应TO-247-4L封装的SCT3040KR，TO-247-3L封装的SCT3040KL 1200V 40A插件

首先在官网下载了开发板的user guide进行学习，有个整体的了解，开发板主要由驱动模块，控制模块，保护电路和功率元器件组成，实际工作中还需安装散热器保证器件工作可靠性。

散热器的安装

官方的指导文件还给出了一些测试版的连接示例，我这里主要关注了一下后续要做的双脉冲测试和同步整流BUCK电路。

双脉冲测试，可以对比不同开关管参数及性能，同时可以获取开关管开关过程中的参数，评估驱动电阻数值是否合适，是否需要吸收电路等。而且可以考量开关管在实际电路中的实际表现，反向恢复电流，关断电压尖峰，开通关断时间等。

同样也给出了同步整流BUCK的连接示意，我这边打算后续先进行计算和仿真，得到电路的一些参数，然后先搭建开环BUCK测试电路测试静态特性，再采用STM32开发板作为控制板搭建闭环BUCK测试动态特性。