DSPIC33EV256GM106 RTSP问题

当我为这个芯片做引导加载器时，我发现如果一次写一条指令如下，那么一段时间有些位会出错（例如0x040400有些时候会变成0x050400），这段代码是dspic33ep512mu810的演示，在dspic33ep512mu810上它工作得很好，但是这里写错了，然后我改写两个in结构一次，它工作，我不知道为什么，如果“WR”标志返回错误的消息，如果“WR”错误，下一个指令写将把0xff写到最后一个地址，如果上次没有完成所有位，一些位将错误地写“1”UINT NVMemWriteWord(UINT32地址，UINT32数据){DWORD_VAL写Address;DWORD_VAL writeData;writeAddress.Val=address;writeData.Val=data;NVMCON=0x4001;NVMADRU= WordDras.Word.HW；NVMADR = WraveAddio.Word.LW；/ /设置“锁存器”的表地址。从临时锁存器将数据编程到Flash中。TBLPAG=0xFA;//可以在//单个操作中编程的最小数据块是2个指令字（6个字节+2个幻影字节）。/或根据地址屏蔽高或低指令字，并写入高或低指令字。如果（地址% 4）{Sy-BufftiNIN TBLWTL（0，0xFFFF）；/ /将1ST指令的低字掩蔽到锁存器中。（1，0x00 FF）；/ /将1ST指令的高字掩蔽到锁存器中。（8位数据+8位“幻象数据”（幻象字节总是0）u builtin_tblwtl（2，writeData.word.LW）；//将第2条指令的低位字写入锁存器_builtin_tblwth（3，writeData.word.HW）；//将第2条指令的高位字写入锁存器}否则{_builtin_tblwtl（0，wri将1-st指令的低级单词写入锁存器_builtin_tblwth(1，writeData.word.HW)；//将1-st指令的高级单词写入锁存器_builtin_tblwtl(2，0xFFFFFF)；//将第2-nd指令的低级单词屏蔽到锁存器中。（3，0x00 FF）；/ /将2-ND指令的高字掩蔽到锁存器中。（8位数据+8位“幻象数据”（幻象字节总是0）}INTCON2bits.GIE=0；//禁用中断，用于解锁序列_u builtin_write_NVM()的下几个指令；而（NVMCONbits.WR==1）{}INTCON2bits.GIE=1；//Re-enable中断（如果需要的话）//Re.WRERR状态。返回nvMcNord.Wrrr；}