摘要:提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点,被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比,已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。
随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小,栅氧化层厚度越来越薄,其栅的耐压能力显著下降,击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数,它不仅决定了其输出功率,还决定了器件的耐压能力,因此必须要采取措施以提高器件的击穿电压。
本文将在基本LDMOS的基础上,探讨如何利用RFIC设计抗击穿LDMOS?
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