4性能
电性能测试采用HP8510C矢量网络分析仪和CascadeMicrotech微波探针台组成的微波在片测试系统。测试的各种电性能参数如最小衰减;最小衰减时的输入/输出驻波;最大衰减;最大衰减时的输入/输出驻波;最小衰减与最大衰减的相移差。当V1为0V,V2为负极性的FET夹断电压VP时,对应最小衰减态。当V1为VP,V2为0V时,对应最大衰减态。当V1从0V逐渐减小到VP,V2从VP同步逐渐增加到0V时,衰减量从最小变化到最大,反之亦然。芯片通过了高、低温储存,高、低温冲击,高、低温工作,键合,剪切和工作环境温度为125℃的1000小时工作寿命等实验。
5结论
开发成功的低相移、多功能DC?50GHz高性能MMIC压控可变衰减器,具有良好的电性能、较高的工艺成品率和高可靠性,达到了设计要求,具有一定的实用性。
4性能
电性能测试采用HP8510C矢量网络分析仪和CascadeMicrotech微波探针台组成的微波在片测试系统。测试的各种电性能参数如最小衰减;最小衰减时的输入/输出驻波;最大衰减;最大衰减时的输入/输出驻波;最小衰减与最大衰减的相移差。当V1为0V,V2为负极性的FET夹断电压VP时,对应最小衰减态。当V1为VP,V2为0V时,对应最大衰减态。当V1从0V逐渐减小到VP,V2从VP同步逐渐增加到0V时,衰减量从最小变化到最大,反之亦然。芯片通过了高、低温储存,高、低温冲击,高、低温工作,键合,剪切和工作环境温度为125℃的1000小时工作寿命等实验。
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开发成功的低相移、多功能DC?50GHz高性能MMIC压控可变衰减器,具有良好的电性能、较高的工艺成品率和高可靠性,达到了设计要求,具有一定的实用性。
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