对NMOS管进行仿真发现电压异常，请帮忙分析一下原因

直观的说，你这里VM1就是DS电压，而该尖峰，是线路寄生参数在快速开关边沿产生的振铃，增加栅极驱动电阻，减慢了边沿变化速度，振铃是可以变弱的。你这里只是一个R负载，产生一个需要送到芯片的信号，很简单的办法是在DS增加一个合适的电容，和R2负载产生有效阻尼，当该阻尼合适的时候，速度并不会产生多大影响，同时可以有效阻尼振铃，这时候该振铃就不会出现。而不是通过调整栅极电阻来直接减慢MOS的开关速度。

通过CGD耦合的电荷吧？

受到警告

若只是数位反相器，可用NPN三极管会更好。

受到警告

后端接的是FPGA的I/O，我在后端增加个电容仿真一下。

另外有的FPGA的管脚也有clamp二极管进行保护。管脚也会有寄生电容。