P mos管做BACK，不需要悬浮驱动，但是你这样是不行的。
上管栅极 居然是10K放电，设想一下，P mos管栅极电容为接近1nf，不算等效Qg，你下面N mos关断时候，上面栅极的-12V需要18uS, 才能放电到-2V截止电压。这样的关断速度，做开关电源，你不发烫才是不正常的。
模电基础没学好，得回去补课了。
顺便说一下，驱动的单反相器，能力只有20ma，驱动一个700P电容的方波负载完全不科学，用在这里就是鸡肋。**工作损坏的可能很大。不信你可以用示波器测量一下N mos管栅极波形，肯定也是软的不行，而且波形严重失真。
P mos管做BACK，不需要悬浮驱动，但是你这样是不行的。
上管栅极 居然是10K放电，设想一下，P mos管栅极电容为接近1nf，不算等效Qg，你下面N mos关断时候，上面栅极的-12V需要18uS, 才能放电到-2V截止电压。这样的关断速度，做开关电源，你不发烫才是不正常的。
模电基础没学好，得回去补课了。
顺便说一下，驱动的单反相器，能力只有20ma，驱动一个700P电容的方波负载完全不科学，用在这里就是鸡肋。**工作损坏的可能很大。不信你可以用示波器测量一下N mos管栅极波形，肯定也是软的不行，而且波形严重失真。
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