想用PMOS做开关及控制时序，但是实测结果却跟设想的不一样？

你的问题出在MOS管开关哪里，GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的，那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢？因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何？这个就从RC的冲激响应说起了：当三极管导通后，VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算，你看下哪个会先到VTH。

谢谢!
1. 一针见血。
2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果，基本符合实测结果。 注：  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.52
3. Solution:把串联的电阻（12v）改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。
另外， 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)？ RC 的数量极太小？

数量级别太小，另外三极管的开启电压只有0.6V左右，也太小了，调节这里效果不明显

5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND

HDD的电源设计 对时序有要求吗？先前设计都木有注意呀，同时给的呀

1. HDD上电时序不是工业规范。
2. 但是， 某些项目， 应该环境比较特殊。
3. 我这个项目就是， 我的客人，在PRD里明确描述， 需要5V ready 以后, 12V再来.

为什么要这样设计呢？5V起来，再去控制12V不就行了？

大神，我想问一下 R132的作用是什么，去掉是不是也OK呢

R132不能去，否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。

问下这个时间常数是r23和r132并联后于C的乘积么