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zhongnian

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[问答]

MOS管中的保护二极管和一般的肖特基二极管有何不同

我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压,为什么降的电压几乎没有,而用肖特基二极管不管电流多大都会有0.3V左右压降?

回帖(8)

贾桂林

2019-1-21 16:18:35
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李勇

2019-1-21 16:19:20
MOS管内的二极管能具体点吗?有图的话更好了
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贾桂林

2019-1-21 16:19:44
@zzpf 楼主说的应该是体二极管
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李红

2019-1-21 16:20:45
体二极管的话必须在MOS管关断的时候才能测出压降
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zhongnian

2019-1-21 16:21:15
@jhhfhgj 我刚才测试了一下,在PMOS管栅极接高电平的时候,测Vds为0.6V左右,在PMOS管不接高电平的时候Vds为0V。我这边需电池电压过一个二极管但是不降压,在PMOS管栅极悬空时,用PMOS管的体二极管可以吗?
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  • 王栋春: 感觉不行  凡是二极管 其管压降都是存在的  只是高低的事

zhongnian

2019-1-21 16:21:39
这是原理图
1.png
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李红

2019-1-21 16:25:23
PMOS栅极悬空一般是低电平,MOS管导通。输入管脚都不悬空,而且一般加上拉或者下拉电阻
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zhongnian

2019-1-21 16:25:56
@jhhfhgj 上拉电阻一般选择多少,电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长
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