启动期间,推荐用于故障模式的解决方案是:
采用快速恢复MOSFET
增大导通电阻以减小反向恢复di/dt和dv/dt、体二极管反向电流(Irm) 和峰值电压Vgs,如图6所示
增加最小开关频率以防止电容模式
在发生输出短路后尽快减少 Vgs关断延迟
减小过流保护电流
图6:反向恢复期间的导通栅极电阻效应
图 7.:FRFET (FCH072N60F)和 一般 MOSFET (FCH072N60) 之间的反向恢复特性比较
将一般MOSFET替换为快速恢复MOSFET (FRFET? MOSFET) 非常简单有效,原因是不需要额外电路或器件。图7显示与一般 MOSFET相比, FRFET MOSFET 在反向恢复特性方面的改进。与一般MOSFET (FCH072N60) 相比,FRFET MOSFET (FCH072N60F)的反向恢复电荷减少了90% 。FRFET MOSFET体二极管的耐用性比一般MOSFET好得多。此外,在反向恢复期间若高侧MOSFET从FRFET变为一般 MOSFET,低侧MOSFET的峰值栅源极电压从54V降为26 V。由于改进了这么多特性 ,FRFET MOSFET在LLC谐振半桥转换器中提供更高的可靠性 。
启动期间,推荐用于故障模式的解决方案是:
采用快速恢复MOSFET
增大导通电阻以减小反向恢复di/dt和dv/dt、体二极管反向电流(Irm) 和峰值电压Vgs,如图6所示
增加最小开关频率以防止电容模式
在发生输出短路后尽快减少 Vgs关断延迟
减小过流保护电流
图6:反向恢复期间的导通栅极电阻效应
图 7.:FRFET (FCH072N60F)和 一般 MOSFET (FCH072N60) 之间的反向恢复特性比较
将一般MOSFET替换为快速恢复MOSFET (FRFET? MOSFET) 非常简单有效,原因是不需要额外电路或器件。图7显示与一般 MOSFET相比, FRFET MOSFET 在反向恢复特性方面的改进。与一般MOSFET (FCH072N60) 相比,FRFET MOSFET (FCH072N60F)的反向恢复电荷减少了90% 。FRFET MOSFET体二极管的耐用性比一般MOSFET好得多。此外,在反向恢复期间若高侧MOSFET从FRFET变为一般 MOSFET,低侧MOSFET的峰值栅源极电压从54V降为26 V。由于改进了这么多特性 ,FRFET MOSFET在LLC谐振半桥转换器中提供更高的可靠性 。
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