全桥变换电路MOSFET存在反峰电压过高的问题

`如图是通用的全桥整流拓扑结构，输入48V,输出24V50A。

但是我测试中发现，带载后MOS管反峰电压过高，200V的MOS管，反峰高达240V

`

jsqueh

2019-1-10 15:31:48

时间轴放大后如下图

测试母线电压波形（在MOS管脚上测试），波形如下

也有很大反峰，但是测试电解电容上的波形还可以。
现在调整吸收RC参数，或者干脆去掉吸收电路，对这个反峰的影响都很小，在母线间并接1UF400V的CBB电容也效果不太明显。请教如何处理这个反峰的效果会更见成效呢？

贾桂林

2019-1-10 15:32:30

可以参考一下这段话

jsqueh

2019-1-10 15:35:06

@胡政鹏邮箱 5、因某种原因也许 C1 不能太靠近两个开关，那就再用一个小容量的 CBB 电容就近达成这个电容，形成最小回路连接。
整个机器的结构不是在电路板上，而是分立的结构，请教这个小的CBB电容需要多大的容量和额定电流，这个要怎么估算呢？而且我也有在MOS管上并接一个CBB电容，效果似乎一般。