每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。!
每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。!
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