随着半导体制程微缩能力的演进，芯片逻辑闸密度(Gate Count Density)不断提升，因此晶圆制程后段的金属导线(Interconnects)也不断增加层数且复杂化；而铝/铜等金属导线，其单位截面积在足够大的电流密度下，长时间工作将恐造成金属导线本身阻值劣化，及导线与导线间的绝缘层间的漏电。 iST宜特检测可以藉高温与高定电流密度等加速老化实验，推导出产品Interconnects的故障机率与生命周期；或是藉由设计不同的高温、高定电流实验批次，经由Black’s 函数, 推导出电流密度参数(n)与温度参数(Ea)。
