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离子束 蚀刻
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Plasma FIB(P-FIB)原理与Dual Beam FIB(DB-FIB)相似，差别如下: [td]| 离子源 | Xe（氙离子）Plasma | Ga+ (镓离子) |
| 蚀刻速率 (Probe current) | 1.5pA~1.3μA | 1.1pA~65nA |
DB FIB的离子源Ga+容易附着在样品表面，P FIB使用Xe可减少样品Ga污染问题。
P FIB可大范围面积快速执行，蚀刻速率提升20倍。
iST宜特建置业界新型FEI Helios Plasma FIB (简称PFIB)，蚀刻速率提升20倍，配置高分辨率的SEM，能在数百微米的大范围内，精准定位出奈米尺度的特征物或异常点。
若是小范围且局部的剖面分析(Cross Section)，仍建议使用Dual Beam- FIB，边切边拍，让您快速取得结构图。但大范围结构观察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推荐使用P-FIB，不但蚀刻速率快，又可避免使用传统研磨的方式，因研磨应力产生的结构损坏与定位精准度问题。
应用范围：
大范围的结构观察(>100μm以上)，包括：3D 芯片、硅穿孔结构(TSV )、锡球(Solder ball)及铜柱(Cu pillar)、封装产品(WLCSP FA)等。
Delayer应用 (16nm先进制程以下)。
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