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InGaAs
InGaAs与EMMI的应用雷同，但比EMMI多了哪些优点呢？
为此宜特将为您解答--》
InGaAs与EMMI的应用雷同，但比 EMMI多了以下优点
- 侦测 缺陷(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可侦测到微小电流及先进制程的缺陷(Defect)。
- 可侦测到较轻微的 Metal Bridge。
- 针对 芯片 背面(Back-side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。
InGaAs相较EMMI，更适用在检测「先进制程组件的缺陷」。原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而InGaAs就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点(Hot Spot)定位。
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