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wangling123

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[问答]

关于分压式偏置电路的设计问题

各位前辈你们好,在重新温习模电知识的过程中我发现以下疑问:
如图是一个基于场效应管2N7000的偏置放大电路。图一是课本上给的电路图:
   7804B7FF-FB31-45F0-A33A-1F1921A481D6.png

图一

我的问题就出在R3这个电阻上,他的作用我不能理解,通过交流分析,可以清晰的知道信号源v2产生的信号理论上是可以无损加在场效应管基级上。而直流分析的时候,我实在搞不明白这里R3的作用,R1,R2已经可以实现改变自身大小从而调节Q点位置(或偏置电压)。

因此我重新以没有R3的情况(设置R3为0)构建了电路(如图2),并对两个电路都进行了仿真

17AB0A05-058B-40F5-85C2-B6EC80A45C3B.png

图2

以下分别为两个电路的输出端波形和输出电压(Udsq)的仿真结果:



31890E70-7CC7-4731-BBEF-9C12F46E83AD.png

几乎一致的输出波形

D467014B-B29D-4076-98AB-CB44D03D298A.png

差别很小的输出电压,或Q值


既然结果都完全类似,为什么要设置R3这个电阻?

可能鄙人有些死钻牛角,但我觉得前辈留下来电路图中任何一个电子元器件都有它存在的意义,这也是电路设计的魅力所在。

在此请各位指点,不胜感激!




补充内容 (2017-7-28 22:21):
非常抱歉,我想表达的意思是R9,的确在编辑的时候没有注意这点,非常抱歉!

回帖(34)

晓晓江南

2017-7-28 12:06:02
引用: wangling123 发表于 2017-7-28 22:22
非常抱歉,我想表达的意思是R9。。

以图一来看,从C3往Q2栅极看进去的阻抗为R9+R5//R6,而图二,从C1往Q1栅极看进去的阻抗为R1//R3,显然图一中V2的输入阻抗比图二中V1的输入阻抗要高(对输入信号还是很有利的,信号损失会更小),另外因场效应管的输入电阻远高于2MΩ,故加上R9也不会影响到直流偏置。
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陆建浩

2017-7-28 16:53:21
个人认为R3的作用为给mos管提供开启电压,这样即使你V1过来的信号非常弱,也能达到控制MOS的效果,如果没有R3的话,你V1如果过来的电压比较低的话,会导致MOS管无法开启。有点像失真的原理。所以这个R3应该是为了保证信号完整性所使用的
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聪明一休

2017-7-28 17:34:48
学习啦,真是涨见识
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晓晓江南

2017-7-28 18:37:43
楼主的话我怎么没有看懂呢?我的理解是楼主想要知道R9的作用吧?
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王栋春

2017-7-28 21:13:53
引用: 晓晓江南 发表于 2017-7-28 18:37
楼主的话我怎么没有看懂呢?我的理解是楼主想要知道R9的作用吧?

楼主要表示的意思就是R9  只是他编辑的有些混乱
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wangling123

2017-7-28 22:22:43
引用: 晓晓江南 发表于 2017-7-28 18:37
楼主的话我怎么没有看懂呢?我的理解是楼主想要知道R9的作用吧?

非常抱歉,我想表达的意思是R9。。
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wangling123

2017-7-28 22:23:21
引用: 王栋春 发表于 2017-7-28 21:13
楼主要表示的意思就是R9  只是他编辑的有些混乱

非常抱歉,的确本意是R9,非常抱歉!非常想知道您对该电阻作用的看法
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王栋春

2017-7-28 22:30:25
引用: wangling123 发表于 2017-7-28 22:23
非常抱歉,的确本意是R9,非常抱歉!非常想知道您对该电阻作用的看法

提供导通电压的电阻               
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wangling123

2017-7-28 22:42:12
引用: 王栋春 发表于 2017-7-28 22:30
提供导通电压的电阻

我起初也和您的想法一致,如果R9和R3 (R6) 的作用一样提供导通电压的话,在电路工作时,R9上应该有一个显著的电压。

但我测量R9上的电压时候却发现其上平均电压非常小,也意味着流过R9的直流电流相当小。如图: 是是是.png

因此我认为 即使R9的作用的确是提供一个导通电压,也完全可以通过调节R3(R6)的分压来实现,再加一个R9岂不是有些多余。。

不知您的看法如何,期待与您的进一步讨论
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王栋春

2017-7-29 04:38:49
引用: wangling123 发表于 2017-7-28 22:42
我起初也和您的想法一致,如果R9和R3 (R6) 的作用一样提供导通电压的话,在电路工作时,R9上应该有一个显著的电压。

但我测量R9上的电压时候却发现其上平均电压非常小,也意味着流过R9的直流电流相当小。如图:

这个问题我没有想太多    不知楼主将两者仿真以后效果是否一致
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郑康荣

2017-7-29 08:13:38
我觉有提高输入电阻和保护静电击穿的作用
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wangling123

2017-7-29 10:52:05
引用: 晓晓江南 发表于 2017-7-29 05:53
以图一来看,从C3往Q2栅极看进去的阻抗为R9+R5//R6,而图二,从C1往Q1栅极看进去的阻抗为R1//R3,显然图一中V2的输入阻抗比图二中V1的输入阻抗要高(对输入信号还是很有利的,信号损失会更小),另外因场效应管的输入电阻远高于2MΩ,故加上R9也不会影响到直流偏置。 ...

画了电路的交流等效图之后,的确是您说的那样,输入电阻变大


我好像明白自己的问题出在哪里了,是对电路的交流、直流分析概念的混淆。

在交流等效电路图中(上图),尽管场效应管的输入阻抗近似于无穷大,但由于它与(R9+R5//R6)这个整体电阻是并联的关系,因此最终从栅极看进去的输入阻抗≈R9+R5//R6。

然而在直流分析中,R9与场效应管却是一个串联关系(如下图)


R9相对于场效应管的等效内阻微不足道,因此最后的静态参数相比于没有R9的情况变化不大。

请问我的理解是否符合您的意思。非常感谢您对我问题的指导!受益匪浅 祝好
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wangling123

2017-7-29 10:52:08
引用: 晓晓江南 发表于 2017-7-29 05:53
以图一来看,从C3往Q2栅极看进去的阻抗为R9+R5//R6,而图二,从C1往Q1栅极看进去的阻抗为R1//R3,显然图一中V2的输入阻抗比图二中V1的输入阻抗要高(对输入信号还是很有利的,信号损失会更小),另外因场效应管的输入电阻远高于2MΩ,故加上R9也不会影响到直流偏置。 ...

画了电路的交流等效图之后,的确是您说的那样,输入电阻变大
AD5E3655-0860-497D-9BD5-45657913B9CF.png

我好像明白自己的问题出在哪里了,是对电路的交流、直流分析概念的混淆。

在交流等效电路图中(上图),尽管场效应管的输入阻抗近似于无穷大,但由于它与(R9+R5//R6)这个整体电阻是并联的关系,因此最终从栅极看进去的输入阻抗≈R9+R5//R6。

然而在直流分析中,R9与场效应管却是一个串联关系(如下图)
20170729_105038.jpg

R9相对于场效应管的等效内阻微不足道,因此最后的静态参数相比于没有R9的情况变化不大。

请问我的理解是否符合您的意思。非常感谢您对我问题的指导!受益匪浅 祝好
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wangling123

2017-7-29 10:55:16
引用: lujianhao891204 发表于 2017-7-28 16:53
个人认为R3的作用为给mos管提供开启电压,这样即使你V1过来的信号非常弱,也能达到控制MOS的效果,如果没有R3的话,你V1如果过来的电压比较低的话,会导致MOS管无法开启。有点像失真的原理。所以这个R3应该是为了保证信号完整性所使用的 ...

感谢您的帮助,问题已解决,期待进一步的讨论!
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wangling123

2017-7-29 10:55:39
引用: 王栋春 发表于 2017-7-29 04:38
这个问题我没有想太多    不知楼主将两者仿真以后效果是否一致

嗯,几乎是一致的
感谢您的帮助,问题已解决,期待进一步的讨论!
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wangling123

2017-7-29 10:56:09
引用: zhkaro2015 发表于 2017-7-29 08:13
我觉有提高输入电阻和保护静电击穿的作用

感谢您的帮助,问题已解决,期待与您进一步的讨论!
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王栋春

2017-7-29 12:48:52
引用: wangling123 发表于 2017-7-29 10:55
嗯,几乎是一致的
感谢您的帮助,问题已解决,期待进一步的讨论!

好的            一起交流
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晓晓江南

2017-7-29 12:52:05
引用: wangling123 发表于 2017-7-29 10:52
画了电路的交流等效图之后,的确是您说的那样,输入电阻变大

就像你说的那样.
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idianze

2017-7-29 14:40:40
不错,真是太棒了!
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