贴片电容的选型及参数、分类、封装介绍

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一， 广泛应用于隔直， 耦合， 旁路， 滤波， 调谐
回路， 能量转换， 控制电路等方面。
主要参数的意义：
标称容量以及允许偏差： 目前我国采用的固定式标称容量系列是： E24， E12,E6系列。他们
分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。
标准化， 系列化在现代电容器的生产中具有不可忽视的意义。
电容的频率特性： 随着频率的上升， 一般电容器的电容量呈现下降的规律。
电容的额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流或交流电
压有效值.
电容器的击穿电压： 电容器正常漏导的稳定状态被破坏的电压。
电容器的试验电压:该电压用于测试判断那些因缺陷击穿强度明显下降的 产品。
电容的型号命名方法：（ 依据Ｇ Ｂ ２ ４ ７ ０ － ８ 1）
第一部分： 用字母表示产品的名称 C
第二部分： 用字母表示产品的介质材料：
A 钽电解 B 聚丙乙烯等非极性薄膜 C 高频陶瓷 D 铝电解 E 其他材料电解 G 合金电
解 H 纸膜复合 I 玻璃铀 J 金属化纸介 L 聚酯等极性有机薄膜 N 铌电解 O 玻璃膜 Q
漆膜 S,T 低频陶瓷 V,X云母纸 Y 云母 Z 纸
注： 用B 表示除聚苯乙烯外其他电容时， 在 B 后再加一字母以分别具体材料。用L表示聚
酯以外其他薄膜电容时， 方法通上。
电容器的绝缘电阻： 直流电压加在电容上， 并产生漏导电流， 两者之比称为绝缘电阻. 当
电容较小时， 主要取决于电容的表面状态， 容量〉0.1uf 时， 主要取决于介质的性能。
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝
缘电阻与容量的乘积。

电容的损耗因素： 电容在电场作用下因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内
的损耗允许值， 电容的损耗主要由介质损耗， 电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。  
在直流电场的作用下， 电容器的损耗以漏导损耗的形式存在， 一般较小， 在交变电场的作用
下， 电容的损耗不仅与漏导有关， 而且与周期性的极化建立过程有关。
  瓷介电容   云母电容   有机电容   电解电容 
1   圆形   非密封   非密封   箔式 
2   管形   非密封   非密封   箔式 
3   叠片   密封   密封   烧结粉非固体 
4   独石   密封   密封   烧结粉， 固体 
5   穿心       
6   支柱等       
7         无极性 
8   高压   高压   高压   
9       特殊   特殊 
以上为第三部分， 用数字表示产品分类。
第四部分:用数字表示序号， 以区别产品的外形尺寸和性能指标
瓷介电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率， 在低压低功率中又可分为I型（ CC 型） 和II 型
（ CT 型）。
I 型（ CC 型） 特点是体积小， 损耗低， 电容对频率， 温度稳定性都较高， 常用于高频电路。
II 型（ CT 型） 特点是体积小， 损耗大， 电容对温度频率， 稳定性都较差， 常用于低频电路。
CC1 型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿， 耦合， 隔直使用。损耗：《0.025 绝缘电阻：
10000mohm 试验电压： 200v
允许偏差： 5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（ J,K,M） 温度系数： -150--- -1000PPM/C 环境温
度： -25— 85C 相对湿度： +40C 时达96%

CT1 型圆形瓷片低频电容：
环境温度： -25— 85C 相对湿度： +40C 时达96%工作电压50V 电容范围和允差： 101— 472
（ +-10%） 472-403（ +80-- -20%）
CC01 圆形瓷片电容：
环境温度：-25— 85C 相对湿度：+40C 时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p)
6-10p(+-1P) 10p 以上（ J,K,M）
温度系数： 1— 4P +120(+-60)PPM 4— 56P – 47(+-60)PPM
56— 180P – 750(+-250)PPM
180— 390P – 1300(+-250)PPM
430— 820P – 3300(+-500)PPM
CT01 圆形瓷片电容：
环境温度： -25— 85C 相对湿度： +40C 时达96% 大气压力750+-30mmhg 损耗《0.05绝缘电
阻： 1000mohm
允差： +80 -20%容量： 1000-47000p
工作电压： 63v 试验电压： 200v
独石瓷介电容器：
CC4D独石瓷介电容器
环境温度： -55— 85C 相对湿度： +40C 时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：
100-100000p 工作电压： 40v 试验电压： 120v
CT4D 独石瓷介电容器
环境温度： -55— 85C 相对湿度： +40C 时达98% 大气压力1000PA 损耗《0.035 容量：
0.033-2.2uf 工作电压： 40v-100v 试验电压： 3UW 允差： +80-20%

CC2,CT2 管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比， 机械强度高， 用作旁路时内电极屏蔽性能好， 用在高频电阻杂散耦合
好， 缺点是固有谐振频率低， 制造工艺复杂， 产量低。
CT2 损耗《0.04 绝缘电阻<1000mohm 试验电压： 480v
使用条件： -55— 85c相对湿度： 40C 时达98%
CC10 超高频瓷介电容
可用于《500MHZ 下， 环境温度： -55— 85C 相对湿度： +40C 时达98% 压力33mmhg 震动
强度： 加速度10g 冲击： 加速度25g 离心： 加速度15g
允差： k容量： 1-47p 工作电压： 500v
CC11,CT11 园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计， 频率特性好。
CC11 直流电压： 250V 标称容量： 3— 39P 损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm
CT11 直流电压： 160V 标称容量： 240— 1500 绝缘》2500mohm
CT82,CC82 高压高功率瓷片电容：
环境温度： -25— 85C 相对湿度： +40C 时达98%大气 压力40000PA 震动： 加速度15g 冲
击： 加速度15g 额定电压： 1— 4kv 试验电压： 2.5— 8kv允差： K,M
 
CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF 型方形叠片瓷片电容器
CC3 损耗《0.0015 容量： 33-1000P 允差： K,M 工作电压： 100V
CCTD 损耗《0.035 容量： 470-33000P 允差： +80-20% 工作电压： 250V

CCTF 损耗《0.04 容量： 10000-47000P 允差： +80-20% 工作电压： 160V
CC53,CC52,CT53,CT52 穿心式瓷介电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量： 2-33P 工作电压： 63V 绝缘电阻： 10000mohm 损耗：《0.0015
CC53-2C 容量： 1000-1500P 工作电压： 160V 绝缘电阻： 1000mohm损耗《0.035
CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P
工作电压： 10KV 绝缘电阻： 10000mohm
CCG81 型板形高功率瓷介电容： 使用于大功率高频电子设备中。容量： 1000P 工作电压
20KV(高频15KV) 额定无功功率： 100KVA 最大电流： 25A 最大重量： 1.3KG
可变电容
玻璃铀电容器：
玻璃铀电容的介质是由铀粉（ 钠钙硅） 用一定比例压制而成， 具有较好的电性能， 他的制
造工艺与瓷介独石电容相似， 稳定性比云母电容稍差，
但优于一般的瓷介电容， 特别是独石玻璃铀电容在潮湿的环境中稳定性很高。
CI2 小型玻璃铀电容容量在10-3300P 之间， 使用于晶体管电路及小型电子仪器交流直流脉
动电路。
CI3 高介陶瓷玻璃铀电容器： 使用于一般容量稳定性损耗要求不高的场合。
CI3 损耗《0.055 绝缘电阻<1000mohm 容量： 4700-3.9UF
允差： +50-20%工作电压： 63V, 40V
CI4 高频陶瓷玻璃铀电容器： 使用于一般高频电路做震荡， 耦合， 旁路用。
CI4 损耗《15*10（ -4） 绝缘电阻<1000mohm 容量： 10-10000P
允差： J,K,M 工作电压： 100V

可变电容器：
可变电容器常用的又分空气介质与固体介质两种类型，根据容量变化规律可以分为以下几种
形式： 1， 直线电容式 2 直线波长式 3 直线频率式4 对数式
空气可变电容参数： CB-2-365-1（ 用于电子管收音机）
损耗：《20*10（ -4） (测试频率10mhz 测试容量50pf)
绝缘电阻： 100mohm 试验电压： 100v
电容量： max365+-9.3pf min 《12pf 耐压： 250v
转动力矩： 100-400g/cm 寿命： 10000 次
电容变化特性： 近似直线频率式
环境温度： -25— 55C 相对湿度： +40C 时达98%
大气压力： 650-800mmhg
电解电容器
概述： 电解电容的介质是一层极薄的金属氧化膜， 氧化膜的金属基体是电容的阳极， 液体，
半导体， 或固体电解液是电容的阴极。电解电容的结构特点决定了电解电容的比率电容大。
电解电容的氧化膜具有单向导电性， 在接入电路时必须认清正， 负极。电解电容用于直流或
者脉动电路中。
无极电解可以应用于极性变化的电路中， 他是两个电容的负极对接而成的。
电解电容的损耗较大， 温度， 频率特性较差， 因此限制了电解在交流电路的应用。
采用液体电解质的电容容易产生漏液， 干涸， 老化， 甚至爆炸的现象， 电解电容的绝缘性
能差， 高压大容量的电解电容漏电可在1ma以上。

固体可变电容器：
他在动片和静片之间加上云母或塑料薄膜做介质， 这种电容器因为动片与静片的距离近， 因
而体积小。
CBM-223/203P
损耗：《7*10（ -3） 绝缘电阻： 100mohm 试验电压： 100v
电容量： max141.6pf min 《5pf 耐压： 100v
转动力矩： 50-400g/cm 寿命： 5000 次
微调电容器： 常见微调电容有空气介质微调， 薄膜介质微调， 瓷介微调，
玻璃介质微调等。
CWB62 6.8-22
损耗：《0.002 绝缘电阻： 10000mohm
电容量： max22pf min《1pf
薄膜电容
碳酸酯薄膜电容：
此电容性能比聚酯电容好， 耐热与聚酯电容相同， 可替代聚酯， 纸介电容，
广泛应用于直流交流， 脉动电路中。
型号： CQ10 容量： 0.1-0.68uf 额定工作电压： 40V 绝缘性能： 500mohm./uf
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.015 试验电压： 60V

复合薄膜电容器： 此电容选择了两种不同的薄膜（ 或纸与薄膜） 复合做介质。例如聚苯乙烯
薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器， 这种电容比聚苯乙烯电容提高了抗电强度和温度， 减
小了体积，   但是电容的温度系数和损耗稍差。
聚丙烯薄膜电容器
此电容性能和聚苯乙烯电容相似， 但体积小， 工作温度上限可达85-100C损耗为0.01-0.001
温度系数为-100*(10 负6) ---- -400*(10 负6)容量稳定性比聚丙乙烯电容稍差。可用于交流，
激光， 耦合， 等电路。
型号： CBB121 容量： 0.001-0.47uf 额定工作电压： 63— 400v
绝缘性能： 引出头之间： 100000mohm 引出头与外壳之间： 10000S
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.01 试验电压： 2uw
容量允差:J,K,M
型号： CBB12 容量： 0.001-0.39uf 额定工作电压： 100— 1600v
绝缘性能： 引出头之间： 3000mohm.UF 引出头与外壳之间： 10000S 损耗角正切：（ 正常气
候条件下） <0.001 试验电压： 2.5uw容量允差:J,K,
塑料薄膜电容器
目前大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯， 聚乙烯， 聚丙烯， 聚四氟乙烯， 聚酯（ 涤纶），
聚碳酸酯， 复合膜等。
聚酯薄膜（ 涤纶） 电容器：
聚酯膜介电常数较大， 耐热性好， 可在120— 130C 之间工作， 缺点是损耗较大， 且随频
率变化较大， 这种电容可替代纸介电容器， 一般工作在直流和脉动电路， 不适于在高频下工
作。
型号： CJ1-1 容量： 470-0.1uf 额定工作电压： 63— 400v
绝缘性能： 引出头之间： 20000mohm 引出头与外壳之间： 5000MOHM
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.01 试验电压： 2uw
容量允差:J,K,M

聚苯乙烯薄膜电容器：
主要特点是绝缘电阻高， 损耗小， 容量精度高， 电参数随频率温度变化小， 缺点是体积大，
工作温度不高（ 上限为70C） 该电容主要应用于滤波， 高频调谐器， 均衡器中。
型号： CB40 容量： 0.015-2uf 额定工作电压： 250-1000v
绝缘性能： 引出头之间： 50000mohm 引出头与外壳之间： 10000S 损耗角正切：（ 正常气候
条件下） <0.001 试验电压： 2uw容量允差:J,K,F,G
型号： CB14 容量： 10P-0.16uf 额定工作电压： 100— 1600v
绝缘性能： 引出头之间： 20000mohm. 容量允差:D,F,J,G
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.001 试验电压： 2uw
聚四氟乙烯电容器：
此电容损耗小， 耐热性好， 工作温度可达-150---200C 电参数的温度频率特性稳定， 耐化学
腐蚀好， 缺点是耐电晕性差， 成本高， 主要应用于高温高绝缘， 高频的场合。
型号： CBF10 容量： 0.5-5.1PF 额定工作电压： 160
绝缘性能： 引出头之间： 30000mohm. 容量允差:D,F,C
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.001 试验电压： 2Uw
聚酰亚氨薄膜电容器：
此电容的电性能与聚脂电容相近， 而耐热性， 耐寒性与聚四氟乙烯电容相近， 并且耐辐射，
耐燃烧， 可以在恶劣环境下工作。

云母电容
云母电容：
CY-OA 标称容量： 10-43P 额定直流电压： 200V 最大无功功率： 5（ Var） 电容温度系数：
+-200*10（ -6） /C 电容温度稳定性： 0.5%
CY-0 标称容量： 47-750P 额定直流电压： 100V 最大无功功率： 5（ Var） 电容温度系数：
+-100*10（ -6） /C 电容温度稳定性： 0.5%
CY-RX-1 标称容量： 10-1000P 额定直流电压： 100V 最大无功功率： 2（ Var） 电容温度系数：
+-200*10（ -6） /C 电容温度稳定性： 0.8%
CY-31标称容量： 0.02-0.1UF 额定直流电压： 500V 最大功功率： 100（ Var） 电容温度系数：
+-100*10（ -6） /C 电容温度稳定性： 0.2%
CY-7标称容量： 100-100000P 额定直流电压： 500V
电容温度系数： +-50*10（ -6） /C 电容稳定性： +-5*10(-5)年
金属化纸介电容器：
他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成， 因而体积较纸介电
容小得多。他的主要特点是具有自愈作用， 当介质发生局部击穿后， 其电性能可立即恢复到
击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点， 但是仍然不能离开纸， 他们
的化学稳定性差， 并且随着频率的上升损耗急剧增加， 因此不适于高频电路。
型号： CJ10 容量： 0.01— 1uf 额定工作电压： 160— 400v
绝缘性能： 引出头之间： 200S 引出头与外壳之间： 5000MOHM 损耗角正切：（ 正常气候条
件下） <0.015 试验电压： 2uw

CH42 电风扇用复合纸介电容： 容量： 1--4uf 额定工作电压： 400v（ AC） 绝缘性能： 引出
头之间：1000S 引出头与外壳之间：5000MOHM损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.015 试
验电压： 1.5uw
云母电容器：
云母电容是性能优良的高频电容之一， 广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。
云母电容的型号名称与结构形式的说明：
Ｃ Ｙ － Ｏ Ａ 云母电容  酚醛塑粉热压， 小型化结构， 温度范围： -55— 70C损耗： 20— 70*10
（ 负4）
Ｃ Ｙ 云母电容  酚醛塑粉热压， 温度范围-55— 70C 损耗： 10— 70*10（ 负4）
Ｃ Ｙ RX 耐热,环氧树脂， 温度范围： -55— 100C 损耗： 10— 70*10（ -4）
Ｃ Ｙ － 7 高精度高稳定  金属密封, 温度范围： -10— 55C 损耗： 5*10（ 负4）
Ｃ Ｙ － 32密封云母  瓷外壳密封， 温度范围： -55— 85C 损耗： 10*10（ 负4）
Ｃ 10 浸封云母  环氧树脂， 温度范围： -55— 125C 损耗： 10*10（ 负4）
C11 片状云母 贴片无引线结构， 温度范围： -55— 125C 损耗： 10*10（ 负4）                       
纸介电容器： 纸介电容因其比率电容大， 电容范围宽， 工作电压高， 成本低而广泛使用， 缺
点是稳定性差， 损耗大， 只能应用于低频或直流电路， 目前已被合成膜电容取代， 但在高
压纸介电容中还有一席之地。
性能规格：
型号： CZ52 容量： 0.1— 0.25uf 额定工作电压： 110— 250v
绝缘性能： 0.1uf 为10000monh 0.25uf 为8000mohm
损耗角正切：（ 正常气候条件下） <0.01 容量允差： k,m

试验电压： 3uw
电容比较
YUN LI电解与红宝石电解测试比较：
（ 2001/2/2）
在以下测试中均以401ALCR测试仪100HZ/SER 档测得， 漏电流测试取额定电压充电时间
30S， DT9204 万用表200UA 档所得值。
样品来源： YUN LI 电解为即日供应商送样。
红宝石电解为2001 年1 月12 日永晶代理.
该次测试分别取样品四种， 即10u/50v,100u/50v,100u/100v,470u/50v
每种取样5 个， 分别测试其损耗， 容量。和额定电压下30 秒的漏电流。
从测试结果可以看出， YUN LI电容与红宝石电容的差距仍旧较大，
大约在其60-80%处。
470U/50V  C uf  D  ISua  100/100v  C uf  D  IS ua
1  478.1  0.073  51.9  1  100.2  0.075  19.1
2  481.5  0.063  53.3  2  105.3  0.071  20.0
3  488.7  0.075    3  100.9  0.074  
4  493.7  0.074    4  101.4  0.071  
5
国
产
电
容 
488.9  0.072    5
 
101.0  0.071  
10U/50V  C uf  D  ISua  100/50V  C uf  D  IS ua
1  9.632  0.082  2.8  1  104.8  0.049  9.8
2  9.836  0.083  4.43  2  104.5  0.052  10.9
3  9.925  0.084    3  104.6  0.044  
4  9.856  0.084    4  105.5  0.039  
5
 
9.905  0.083    5
 
106.4  0.043   
                                                      

红宝石电解电容：
10U/50V  C uf  D  ISua  100/50V  C uf  D  IS
ua
1  9.642  0.046  0.79  1  93.52  0.054  5.68
2  10.03  0.041  0.64  2  94.06  0.050  5.19
3  9.755  0.047    3  94.36  0.052  
4  9.951  0.047    4  93.14  0.051  
5  9.843  0.051    5  93.23  0.052  
红宝石电解电容：
470U/50V  C uf  D  ISua  100/100v  C uf  D  ISua
1  430.3  0.042  34.5  1  93.62  0.020  63
2  433.6  0.040  35.5  2  96.39  0.021  63.8
3  428.4  0.043    3  93.20  0.020  
4  430.2  0.044    4  91.37  0.028  
5  429.7  0.040    5  96.67  0.021  
钽电容
钽电解电容器：
钽电解电容主要应用于替补铝电解电
容性能参数难以满足要求的电路中，
如要求电容体积小， 温度范围宽， 频率
特性和阻抗特性要求高，产品稳定和可
靠性要求高的军用， 民用整机电路。各
种民用机也开始部分采用钽电容 ， 以
提高产品质量。
铌电容在60， 70 年代曾经出现过工业
化生产的局面，但由于其氧化膜热稳定
性和化学稳定性不好， 80 年代后， 随
着钽电容工艺的成熟，钽粉比容迅速提
高， 每支钽电容的用粉量大幅度下降，
测试日期： 2000/12/22 数据： 容量， 损耗 LCR401A SER 100HZ 
钽电容实测值（ 漏流测试以测试仪测的） 
9.108  0.034  47.01  0.015
9.167  0.035  48.27  0.014
SMT 106/16V
墨西哥漏电：
1UA 
9.222  0.038
47U/25V
漏电：
0.49UA  44.53  0.017
1.047  0.017  33.4  0.039
1.051  0.017  33.5  0.038
SMT105/35V
松下漏电：
1UA
1.039  0.016
33U/16V
35.16  0.038
    4.611  0.096
    4.801  0.102
 
  
4.7U/25V
4.582  0.096  

因此原来铌电容比钽电容价格低的优
势逐渐消失，铌电解电容的生产也趋于
停止。
 
型号   用
途 
通
用 
小
型 
无
极 
低
漏 
音
质 
漏电流(带或取
大)、 
损耗( 不大
于)F=100HZ) 
允差 
CA42 直
流
和
O O         <0.04CR 或1.5ua   0.08   20% +50-20%, 10% 
CA40   直
流
和
O   O      O  <0.04CR 或1.5ua   0.08-0.15   +100-10%, 20% ，
10% 
CA411   极
性
反
O   O       O  <0.04CR 或1.5ua   0.08-0.15   +100-10%, 20% ，
10% 
CA70   极
性
反
    O       <0.08CR 或1.5ua   0.1-0.2   20% +50-20%, 10% 
CA72   极
性
反
    O       <0.08CR 或1.5ua   0.1-0.15   20% +50-20%, 10% 

转
电
路 
CA   直
流
和
脉
动
电
路 
O           <0.04CR 或1.5ua   0.08-0.15   20% +50-20%, 10% 
CA30   直
流
和
脉
动
电
路 
O           <2CR*10(-8) 或
1.0ua 
0.1-0.35   20% +50-20%, 10% 
CA1   直
流
和
脉
动
电
路 
O       O     <0.0005-0.0002CR  0.06-0.3   20% +50-20% 
CAP   直
流
和
脉
动
电
路 
  O   O       <0.04CR 或1.5ua   0.08-0.15   20% +50-20% 
 
铝电容

型号   用途   通
用 
高
压 
小
型 
低
阻 
无
极 
低
漏 
长
寿 
音
质 
漏电流(带或取大)   损耗(不大于)   允差 
CD03   直流和脉动
电路 
O    O             6.3-63V<0.02CU+5
100-160V.06CU+10 
0.08-0.22   20%+50-20%
+75-10% 
CD03LL   直流电路       O      O       <0.002CU 或1UA   0.1-0.22   20%+50-20%
+75-10% 
CD03BP   极性反转电
路 
    O     O         <0.06CU+4
或10UA 
0.2-0.25   M 
CD03HU   直流和脉动
电路 
  O               <0.06CU+10
 
0.18   +30 – 10% 
CD03HS   场扫描和反
馈 
      O           <0.01CU+3
或10UA 
0.1   M 
CD03SS   微型机       O             <0.01CU
或3UA 
0.1-0.24   M 
CD11   直流和脉动
电路 
O     O             <0.03CU+20   0.1-0.5   J +50 – 10% 
CD26   直流和脉动
电路 
            O     <0.03CU   0.15-0.3   +50-10% 
CDDS2   直流和脉动
电路 
  O               <0.07CU   0.1-0.2   +50-20% 
CDT-S   S矫正         O   O       O   50UA(f=15625
I<2.5-10A) 
0.05   M 
CD94   音频           O       O   <0.06CU+10
<0.04CU+30(大) 
0.06(1-20KHZ)  M 
CD22   高温   O             O     <0.002CU
或2UA 
0.1-0.2   M 
CD25   直流和脉动
电路 
            O     <0.03CU   0.15-0.3   +50-20% 
CD10   直流和脉动
电路 
O     O             <0.06CU <100UF
<0.1CU >100UF 
0.2-0.3   +100-10% 
CD95   音频           O       O   <0.06CU+10
<0.04CU+30(大) 
0.06(1-20KHZ)  M 
CD100   O                 <0.03CU   0.25-0.35   +50-20% 
铝
电
解
电
容
特
性
型
号
参
数
表 
CDZ 
直流和脉动
电路   O