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Audio电路大多采用单点接地(图36)，类似RF电路的单点接地导线会成为电感器(inductance)，使得各组件的接地端子之间电位变得非常不稳定，所以基板图案采用full ground设计，利用基板的背面与内层形成所谓的传输线路ground plain结构，此外与ground 连接的via hole会成为无法忽视的阻抗，设计上必需特别注意。 
 
图36 Audio电路常见的单点接地   
电源与功率电路基板导线设计 a.面封装型线性调整器的散热图案 
接着介绍输出电流1.0A低饱和型线性调整器(linear regulator)散热图案设计技巧。三端子调整器构成组件非常少因此广被使用，图37是由面封装型线性调整器NCP1117构成的降压电路；图38是降压电路基板图案。 
 
图37 线性调节器构成的降压电路   图37 线性调节器构成的降压电路   
旁通电容器(bypass condenser) C1、C3封装在半导体的输出入端子附近，NCP1117为面封装型半导体，使用电路基板图案作散热。图39是NCP1117的散热pattern大小与容许电力－热阻抗的关系，例如输入8V，输出5V，输出电流400mA时，半导体的损失利用输出、入的电压差(8V-5V=3V)，乘上输出电流后等于3V×0.4A=1.2W，根据图39可知NCP1117需要7mm正方以上的散热pad。直接与散热pad连接时，如果输出平滑电解电容C4的电路基板图案太宽时，热量会经由图案传导至电容器造成电解电容温度上升，所以散热pad与C4的基板图案必需案配合输出电流，尽量降低导线图案的宽度。 
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图39 NCP1117的散热pattern大小与容许电力－热阻抗的关系  
同步整流step down converter BIC221C与控制电路，以及MOSFET驱动电路三者同时封装成一体，本电路的动作频率为300kHz，输入5V，输出2.5V/3A。图40(a)是step down converter电路图；图40(b)是BIC221C的内部方块图；图41(a)是电路基板组件面图案。  
如图40(b)所示，BIC221C内部方块图所示第4,6号脚架的GND，与第8号脚架的P.GND1、第16号脚架的P.GND2明确分隔，如果按照图40(a)电路图指示，直接描绘含盖上述脚架配线图案的话，可能会造成误动作与噪讯增加等后果，因此设计电路基板图案时，必需将第8号脚架的P.GND1、第16号脚架的P,GND2分开，避免第4,6号脚架GND大电流流动。具体方法如图41所示，GND的第4,6号脚架在组件面连接，P.GND1的第8号脚架再与焊接面连接，大电流从C5通过P.GND2的第16号脚架，再从Vout(11,12,13,14pin)通过L1流入C5，P.GND1的第8号脚架从C1设置slit作连接，因此连接与第4,6号脚架的GND的图案不会有大电流流动。 
 
(a) 电路图 
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(b) BIC221C的内部方块图 
图40 同步整流式step down converter BIC221C构成的step down converter 
 
(a) 组件面 
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(b)焊接图 
图41 2.5V/3.3A输出的DC-DC converter电路基板图案   
b. 光学耦合器构成的gate驱动电路基板图案 
为避免控制电路遭受破坏，因此图42将光学耦合器TLP351与二极管构成的控制电路，以及功率MOSFET分离。 
 
图42 photo coupler构成的gate驱动电路  
图43 gate驱动电路的基板图案，光学耦合器的光学二极管单元属于电流驱动，光学晶体管与功率MOSFET等gate驱动单元则是电压驱动，所以光学耦合器封装在功率MOSFET附近，此时必需避免光学二极管的正、负极的平行导线Ⓐ部位面积变大。  
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图43 gate驱动电路的基板图案   
c. 专用IC构成的gate驱动电路基板图案 
IR2011 8pin驱动IC内嵌high side与low side的gate驱动电路，属于D级audio增幅器与DC-DC converter的gate驱动器。  
图44是专用IC的构成的gate驱动器电路；图45是驱动电路的基板图案。  
虽然设计上要求gate驱动IC尽量靠近功率MOSFET设置，远离功率MOSFET设置的场合，为避免high side的source电位波动，造成IC1第4脚架V5的负电位波动，所以需将二极管D2设在gate驱动IC附近。  
此外为防止Tr1、Tr2误动作，因此source与gate的导线尽量邻接，此外控制信号的输入图案与COM图案两者必需平行设置。 
 
图44 专用IC的构成的gate驱动电路 
 
图45 专用IC的构成的gate驱动电路的基板图案 
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