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本书讲述模拟CMOS集成电路的分析与设计方法,重点阐述当前产业背景下学生和一线工作的工程师需要掌握的基本原理和新理念新方法。由于模拟电路设计同时强调直观认识和严密分析,每一个概念都先从直观认识的角度引入,然后进行仔细的分析。目标是打下坚固的基础,并培养通过审视来分析电路的方法,从而使读者能了解在哪些电路中可以做何种简化,并预期每一步简化中引入的误差大小。这种处理方式也使读者不需花费额外的精力就可以用这本书中学到的概念来分析双极型电路。 我已经在UCLA和工业界讲授过这本书中的绝大部分内容,每一次授课时都会对讲授的顺序、方式和内容进行重新梳理。就像读者能从此书中看到的那样,我在编著或讲授时遵从了四条黄金法则: ①我会就读者为什么需要了解即将要学习的概念进行解释; ②我将自己放在读者的位置,预测他/她在第一次阅读各部分内容时可能会遇到的问题; ③考虑到第二条规则,我假设自己只掌握了读者第一次阅读时所拥有的知识,并尽力和读者一起成长,因此会经历与读者同样的思索过程; ④我先以简单但可能不太精确的语言来介绍核心概念,并逐渐增加必要的修正来达到最终精确的想法。最后一条规则在讲授电路课时尤为重要,因为它允许读者观察拓扑的演变,从而能够同时学会电路的分析与综合。 这本教材包含有16章,每章内容和章节顺序都经过仔细衡量,从而为无论是自学还是3个月或6个月的学期课程学习提供自然的流程。与一些其他的模拟电路设计教科书不同,我们在开始时仅介绍最少量的MOS器件物理的内容,而将更深入的器件特性和制造工艺细节分配到了后面的各章中。对于一个专家来说,这本书介绍的初级器件物理内容可能显得过度简化了,但是我的经验表明: ①初次接触本书内容的读者在他们学习电路知识前并不能领会高阶器件效应和制造工艺,因为他们不明白其中的相关性; ②如果表达合适,这种简单阐述也包含了学习基本电路所需要的足够知识; ③在读者进行了大量的电路分析和设计之后,能够更加有针对性地学习先进的器件机理和工艺步骤。 第1章为读者提供了学习这本书的背景。 第2章讲述了MOS器件的基本物理知识和工作原理。 第3~5章分别讲述单级放大器、差分放大器和电流镜,介绍了通过有效的分析工具来审视定量分析基本电路的行为。 第6~7章介绍了噪声和频率响应这两个电路的非理想特性。比较早地介绍噪声有利于读者领会在后续电路分析时考虑其影响。 第8~10章分别讲述了反馈、运算放大器和反馈系统中的稳定性。通过对反馈特性的分析,激励读者去设计高性能、稳定的运算放大器并理解在速度、精度和功耗等方面的折中考虑。 第11~13章涵盖了更深入的内容: 能隙基准源、基本的开关电容电路、非线性和失配效应。这些内容在目前绝大多数的模拟和混合信号系统中非常重要,因此被纳入本书中。 第14章涉及高阶MOS器件效应和模型,重点在电路设计方面的含义。如果喜欢,这一章可以直接跟在第2章之后学习。 第15章描述了CMOS制造工艺,并简单介绍了版图设计规则。 第16章讲述了模拟和混合信号电路的版图设计和封装技术,描述了许多直接影响电路性能的工程性因素和各种解决技术。 下载链接:
模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)-电子版.pdf
(16.19 MB, 下载次数: 521
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谢谢大佬分享,赞~~~~~~~~~~~~~~~~
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