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不知道我这样子分析对不对，在MOS管的栅极和源极之间有个等效电容，栅极接电源12V时，电源会给这个等效电容充电，电容的电压逐渐升高，随着电压升高，漏极和源极阻抗逐渐变小，当电容电压充满时，漏极和源极的阻抗最小，此时MOS管处于导通状态，如果在栅极上串上一个R21电阻，则就会改变电容的充电时间，电阻越大，充电电流越小，充电时间越长，如果是开路，则就相当于串上一个无穷大的电阻，充电电流无穷小，充电时间无穷大，则MOS管就不可能导通！如果R21电阻太小，则会使三极管在导通的时候12V直接对地发生短路！
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3 条评论
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图中，R23 R24 起分压作用. R21为偏置电阻.当GIOP OUTPUT PC6 为高电平时 Q6导通 将Q5的 G极电位低，Q5导通 由D极输出 VCC 12V.
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R23是起到基极限流的作用，在GPIO电压为高电平时能够使三极管饱和导通。R24的作用是当GPIO悬空或者较低时给三极管的基极一个确定的低电平，也可以通过分压在GPIO电压下降时使三极管迅速断开，也可以防止在GPIO端低电平或者有漏电流时，三极管出现弱导通的情况。P沟道MOSFET导通的条件使Vg
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2019-10-12 22:51:16
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需要两个管子的原因是做电平转换 前端三极管是电平转换 后端MOS是带负载的
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