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Vce间的压降不会造成Q们的损毁，但是Veb的耐压NPN为6V，PNP为5V。所以应该是PNP三极管的eb结先被打坏。
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应该给四个三极管分别并联一个续流二极管。
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根据计算，当高电平时，电感产生负高压时，根据计算，达到-20V，限流电阻1k，约产生20ma电流，达到很多单片机的极限输出电流。 当低电平时，电感产生正高压时，根据计算达到+20V，限流电阻1k，约产生20ma电路，也达到很多单片机吸收电流 根据我的经验，io要达到80ma，10ms以上，三个连续脉冲以上，单片机必须死。（AVR）单片机。 由此结论，当三极管耐压25V，例如s8050小电流，d882,b772大电流，在耐压没到时候，io有损坏风险。 
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如果有20V，单片机有io有风险。感性负载感应出20V很容易，如果没续流
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我记得电桥是上面pnp，下面npn。
你这种图腾柱是电压跟随器，还要考虑功耗呀，估计不小，得热死。 接在5V上，还要大功率的buck电源。应该接在12V或24V上。这样5V电源设计难度降低。根据你的电阻2欧，约2.5A电流，估计也buck电源设计也难受。 |
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主要是上电时间很短！
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根据提示，我自己的的想法是：接+5V的两个NPN三极管容易坏。
以Q2为例来分析，在负压的瞬间，整个NPN三极管工作在饱和工作状态下，Ib=10V/1000=10mA。另放大倍数为100，那么ICE就可能达到1000mA。 |
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主要电压跟随器，Vce有点大。有过有2V压降，0.1a就200mw，1A就是2w，基本上三极管很烫了。
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根据你的波形，很明显好像是被反向BE结电压限制住了，一般的像8050之类的也就是5V就击穿，然后通过1K进入单片机，负尖峰也如此，被下面的PNP管的Vebo 限制在该值。根据波形幅度，则单片机IO被损坏概率低，但是PNP和NPN则完全随机，或者说那种更弱点则那种更容易挂。 这是一个糟糕的设计，原因就是少了4个箝位续流的二极管，只需要加上4个4148，则线路就完全不会有任何风险。 当然想要减少输出级的功耗，可以多2个NPN管子，交叉驱动桥臂上下对角，则可以让管子以饱和压降工作。当然H桥臂的4个二极管还是不能少，这样的结构，哪怕工作时间比较久也不怕了，比较图腾柱和互补比起来，功耗大的多。 |
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首先，三极管肯定是要比单片机先坏，仅从参数上来看PNP管和NPN管其实被打坏的概率是差不多的，但实际应用上肯定是PNP管更脆弱，别问为什么，经验来的
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要完全关闭 一个桥臂 在开通另外一个桥臂防止串宏 最好在程序里加一个刹车 让电机完全停下来
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