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MOS管击穿后有一段电流接近饱和，这个怎么解释?

2018-5-8 08:42:22 3158 MOS管

0 `MOS管击穿后有一段电流接近饱和，这个怎么解释? （对数坐标） ` 0
2018-5-8 08:42:22　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 求助解释下一段程序的意思 2131 • 静电是如何击穿MOS管的 3474 • MOS管被击穿的原因 1259 • MOS管静电击穿的类型 408 • 如何改善MOS管被ESD击穿的问题 822 • 浅谈mos管击穿的原因。 9288 • MOS管为什么会被击穿？如何去解决？ 2930 • MOS管被击穿的原因及解决方案 2300 • 如何改善MOS管被ESD击穿的问题 1021 • MOS管击穿原理分析、原因及解决方法 4179 2 个讨论

0 这个图为什么会没有横纵的原点和坐标单位呢？是栅极与源极之间的AC曲线吧？如果是的就容易解释了。此产品击穿在栅极与漏极之间，而栅极与源极之间还是正常的。这个曲线分为三段，一是第三象限的部分，电流从S极流向D，二极管正向导通，再从D经过漏电区流到G，所以是二极管的正向导通曲线。第二段是第一象限的VGSTH曲线段，因为DG间有漏电，所以G随D的电位升高，当VD低于开启电压时，沟道还未打开，DS之间没有电流，当达到VGSTH电压以后，ID迅速上升，因为只在GS之间加电，但是GS之间没有直接相通的漏电通道！（从开启电压之前的水平段电流低可知），所以D上的电流是从G上经DG间的漏电点流到D再从开启的沟道中流到S的。所以这个电流的大小要受到漏电电阻的制约，不能无限增长，当沟道电阻大于漏电电阻后，其斜率就表现为漏电电阻曲线了，这个曲线就是开启曲线向右边拐弯的第三段了。

2024-6-19 22:25:17 评论举报 1^# jf_36690881