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我最近在研究Cypress公司的接近感应方案,重点研究的是CY8CKIT-040和CY8CKIT-024这一组合套件。通过参考文档Getting Started with CapSense和Proximity sensing with CapSense,可以知道屏蔽电极是PCB板顶部和底部的填充网格接上屏蔽驱动信号得到的。但是我想知道这个屏蔽电极能够增大接近感应距离的原理是什么?或者说为什么这些网格加上屏蔽驱动信号之后就能起到这种效果呢?
另外,我在查阅CY8CKIT-024的说明CapSense Proximity Shield Kit Guide的时候,发现这块板子上的Shield/GND是一个单独的线圈回路?(我不确定是不是线圈回路)这个好像跟前面文档提到的Shield electrode有所不同?图中用紫色方框圈起来的就是GND/Shield Loop。我想知道这里采用这样的大线圈回路作为屏蔽电极而不是像之前提到的用网格,这其中的原因是不是因为这个回路的屏蔽效果要好于网格的屏蔽效果呢? 最后,如果我想重新设计一个更大的接近传感器(sensor),选择屏蔽方案是应该选择网格还是回路loop呢? 希望有人能够解答我的疑问,非常感谢! |
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1个回答
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接近传感器进行扫描的时候,sensor上会出现高低驱动的频率波形,接近传感器通过类似天线的电极对外会形成一个辐射电场,手掌(等效GND)靠近时会吸收部分辐射电场能量,导致接近传感器与GND之间的耦合电容增大,接近传感器的 rawdata 值增加。
Shield 电极上时刻驱动扫描 sensor 的当前的驱动波形,所以 shield 电极对接近传感器 sensor 的辐射能量没有吸收能力,并且对接近传感器的电场分布有一定影响。比如说 PCB 的上层铺设接近传感器下层空白,那么接近传感器在上下两个方向的辐射电场是均匀分布的,从正面和背面靠近接近传感器得到的信号量是相当的,但是下层铺设 shield 网格之后,接近传感器的辐射能量场会倾向于向上辐射(因为 shield 本身并不吸收电场,所以起到一定的屏蔽作用),所以 shield 可以烘托接近传感器获取另一个方向上更高的灵敏度。 如果下层铺设 GND 网格,那么阶级传感器的大部分辐射能量都会被就近的GND网格吸收掉,手掌靠近时产生的信号变化量就要小的多了,也就是接近传感器的灵敏度降低了。 30cm 的接近距离只是一个理想环境下的极限理论值,实际工作环境中会有各种情况影响接近传感器的计生电容,比如温度,湿度,电磁环境等等,而且还要考虑产品的稳定性,所以接近距离需要根据实际情况来定夺。 |
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