内存与闪存之间有什么不同？

　　现在我们在购买手机、平板、电脑等电子产品的时候，越来越多的会关注到电子产品的硬件配置，而内存和闪存就是其中关注的重要一点，有很多小白分不清什么是内存、什么是闪存，今天宏旺半导体就跟大家来说说二者的区别和不同。
　　内存，顾名思义就是用来存储数据的东西，但根据用途又分为两大类，就是常说的RAM和ROM，RAM是运行内存，通常我们把它叫做内存；ROM是机身内存，通常叫做闪存。
　　什么是内存？
　　运行内存（RAM），又叫随机存储器，是一种易失性存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常为操作系统或其他正在运行中的程序存储临时数据。这种存储器在断电时将丢失存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序（就相当于电脑的内存条）。
　　通常我们看到的DDR3、DDR4、LPDDR等，都是随机存储器（既内存），无论是电脑还是手机，在处理大量运算数据的时候，需要一个容器去暂存待计算/已计算的内容。以手机为例，目前智能手机的运行内存主要有以下4种类型：LPDDR3，LPDDR4，LPDDR4x和LPDDR5（暂未商用）。2018年，宏旺半导体通过独立研发，已实现了国内首发8GB的LPDDR4X内存芯片的成功量产，并预计于2020年开始立项研发LPDDR5芯片，届时运行速度将更快、性能也将更好。
　　什么是闪存？
　　闪存（ROM），是一种非易失性存储器。闪存虽然名字里有一个闪字，但其储存数据却是长久的，在断电情况下仍能保持所存储的数据信息。简单来说，手机上的各种音乐、视频、图片等文件就是存储在闪存里面的。
　　目前市面上移动产品的闪存主要有eMMC和UFS两种类型。eMMC全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡，一般镶嵌在手机、平板等移动设备当中。eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片封装在一起，在满足存储硬件拥有高容量、高稳定性和高读写速度的同时，更符合应用外观轻薄小巧的发展趋势。手机、平板、盒子厂商只需要采购宏旺半导体 eMMC芯片，放进新机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，能够减少上市周期和研发成本，加速产品的出新速度。
　　UFS的全称是Universal Flash Storage，即通用闪存存储，UFS其实就是为了取代EMMC才推出的。UFS系列闪存目前最高规格为UFS2.1，连续读写速度实际上可达1G以上，而UFS2.1闪存的工作方式不同于eMMC，它可以实现边读边写，达成工作效率的最高化，但由于造价较贵，一般多用于高端机上。
　　综上所述，总结一下，通常我们所说的内存即易失性存储，闪存即非易失性存储，双方相辅相成。其实区分内存和闪存还有一个很好的方法，譬如，通常手机参数中所说的6G+128G或4G+64G等等，其中前面较小的数字代表内存，既用来暂时存储手机系统、软件运行时所产生的一些碎片化的数据；后面的数字则代表闪存，用来存储应用文件、照片、视频等等常规文件。
　　SRAM是英文Static RAM的缩写，中文名叫静态随机存储器，SRAM存储器是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒久保持。与DRAM存储器相比，DRAM存储器里面所储存的数据需要周期性做出更新。但当电力供应停止时，SRAM存储器储存的数据还是会消失，因此SRAM存储器也称为易失性存储器，这就跟在断电后还能储存数据的ROM存储器或FLASH闪存是不同的。SRAM存储器具有较高的性能，被广泛应用于在高端产品，如医疗设备，金融设备，工控产品等多行业产品。