功率MOS管的重要参数

2020-10-28 08:47:38 1651 功率MOS管 MOS管功率MOS

0 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) 0 图解功率MOS管的每一个参数.pdf 573.6 KB , 下载次数: 10
2020-10-28 08:47:38　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 如何查看MOS管的型号和功率参数 8234 • 功率mos管的关键参数 2824 • MOS功率管参数 8113 • 功率MOS管的每个参数介绍 12232 • MOS管的参数 MOS管的优缺点 7505 • MOS管寄生参数的影响 453 • 常见MOS管型号及参数 1032 • MOS管参数解读 11832 • MOS管的参数缩写 1597 • MOS管的相关参数 1868 1 个讨论

0 　　VDSS 最大漏-源电压　　在栅源短接，漏-源额定电压（VDSS）是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V（BR）DSS的详细描述请参见静电学特性。　　VGS 最大栅源电压　　VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。　　ID - 连续漏电流　　ID定义为芯片在最大额定结温TJ（max）下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：

2020-10-28 16:14:12 评论举报 1^# 石径