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[资料] LM6132/LM6134双四芯低功耗10MHz轨对轨I/O操作放大器
2020-7-9 10:26:55  135 共模电压 放大器
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  一般说明
  LM6132/34在低电压供电或以前的权力限制使得妥协成为必要。只有360微安的电源电流,10兆赫该设备的增益带宽支持新的便携式应用,其中功率更高的设备不可接受地耗尽电池生活。LM6132/34的驱动电压可以超过供电轨,从而消除了超出共模电压范围。轨对轨输出摆动能力提供最大可能的动态输出范围。在低电源电压下工作时,这一点尤为重要。LM6132/34也可以驱动无振荡的大电容负载。LM6132/34在2.7伏至24伏以上的电源上运行非常适合各种应用,从具有大带宽需求的蝙蝠操作系统到高速仪表。
  特征
  (对于5V电源,除非另有说明,否则为典型值)
  轨对轨输入CMVR−0.25V至5.25V
  轨对轨输出摆幅0.01V至4.99V
  高增益带宽,20 kHz时为10 MHz
  转换速率12 V/微秒
  低电源电流360微安/安培
  宽电源范围2.7伏至24伏以上
  共模抑制比100分贝
  增益100db,RL=10k
  PSRR 82分贝
  应用
  电池操作仪表
  仪表放大
  便携式扫描仪
  无线通信
  平板显示器驱动程序
  
  绝对最大额定值(注1)
  ESD公差(注2)2500V
  差分输入电压15V
  输入/输出引脚电压(V+)+0.3伏(伏-)-0.3伏
  电源电压(V+–伏-)35伏
  输入引脚电流±10毫安
  输出引脚电流(注3)±25毫安
  电源引脚50毫安的电流
  铅温度。(焊接,10秒)260摄氏度
  储存温度范围为-65℃~+150℃
  结温(注4)150℉
  工作额定值(注1)
  供电电压1.8V≤VS≤24V
  结温范围
  LM6132、LM6134−40度数C≤TJ≤+85度数C
  热阻(θJA)
  N组件,8针模压浸渍115癨C/W
  M组件,8针表面安装,193°C/W
  N包装,14针模压浸渍81#C/W
  M组件,14针表面安装,126°C/W
  5.0V直流电特性
  除非另有规定,否则保证TJ=25℃、V+=5.0V、V-=0V、VCM=VO=V的所有限值+/2和RL》1 MΩ到VS/2。黑体限制适用于极端温度
  
  5.0V直流电特性(续)
  除非另有规定,否则保证TJ=25℃、V+=5.0V、V-=0V、VCM=VO=V的所有限值+/2和RL》1 MΩ到VS/2。黑体限制适用于极端温度
  
  5.0V交流电气特性
  除非另有规定,否则保证TJ=25℃、V+=5.0V、V-=0V、VCM=VO=V的所有限值+/2和RL》1 MΩ到VS/2。黑体限制适用于极端温度
  
  2.7V直流电特性
  除非另有规定,否则保证TJ=25℃、V+=2.7V、V-=0V、VCM=VO=V的所有限值+/2和RL》1 MΩ到VS/2。黑体限制适用于极端温度
  
  24伏交流电气特性
  除非另有规定,否则保证TJ=25°C,V+=24 V,V-=0 V,VCM=VO=V的所有限值+/2和RL》1 MΩ到VS/2。
  
  倾向于功能性,但具体的性能无法保证。有关保证规格和试验条件,请参阅电气特性。
  注2:人体模型,1.5 kΩ与100 pF串联。
  注3:适用于单电源和分电源操作。在环境温度升高的情况下连续短路操作可能导致超过最大允许结温150 303C。
  注4:最大功耗是TJ(max)、θJA和TA的函数。任何环境温度下的最大允许功耗为PD=(TJ(max)——TA)/θJA。所有数字适用于直接焊接到PC板上的封装。
  注5:典型值代表最可能的参数范数。
  注6:所有限值由测试或统计分析保证。
  除非另有规定,否则典型性能特性TA=25°C,RL=10 kΩ
  
  除非另有规定,否则典型性能特性TA=25°C,RL=10 kΩ(续)
  
  除非另有规定,否则典型性能特性TA=25℃、RL=10 kΩ(续)
  
  LM6132/34应用提示
  LM6132为opamp系统设计带来了新的易用性。关于大于轨对轨输入电压范围的问题超过共模电压范围被排除。轨对轨输出摆幅在输出端提供最大可能的动态范围。这一点特别重要在低电源电压下工作时。低电源电流的高增益带宽开辟了新的领域电池供电的应用,其中高功率消耗,以前降低电池寿命到不可接受的水平。为了利用这些特性,应该有一些想法记住了。提高回转率与大多数双极opamp不同的是,这种独特的相位反转输入级的预防/加速电路消除相位反转并允许转换率非常高输入信号幅度的函数。图2显示了如何围绕直接输入到当前镜像的集电极基结。LM6132/34输入级转换输入电压更改为当前更改。当前的更改驱动通过Q1–Q2、Q3–Q4收集器的当前镜像当输入电平正常时。
  LM6132/34应用提示(续)
  如果输入信号超过输入级的转换速率差分输入电压高于二极管压降,多余的信号绕过正常的输入晶体管,(Q1–Q4),并以正确的相位通过两个传统晶体管(Q5,Q6)直接进入当前反射镜。这种多余信号的重新路由允许转换率增加10到1倍或更多。(见图1。)随着超速档的增加,opamp的反应比常规opamp。大的快速脉冲将把转换速率提高到大约25V到30V/微秒。
  
  在较高的电源电压和当输入信号可能很大时,增益降低。当驱动大电容负载时,这种加速动作增加了系统的稳定性。驱动电容性负载电容性负载降低了所有运算放大器的相位裕度。这是由放大器的输出电阻和形成R-C相位滞后网络的负载电容。这会导致超调、振铃和振荡。回转率限制也会导致额外的延迟。大多数蛋白石固定最大回转率将越来越落后当驱动电容性负载时,即使差动输入电压升高。对于LM6132,滞后导致旋转加息。增加的回转率使输出比输入低得多。这有效地减少了相位滞后。当输出赶上输入后,不同的输入电压下降,放大器稳定下来迅速地
  
  这些特性允许LM6132驱动电容性负载在单位增益下大到500 pF而不振荡。范围上面的照片(图3和图4)显示了在500 pF负载下的LM6132驱动。在图3中,较低的记录道没有ca缓冲负载,而较高的记录道有500 pF负载。在这里我们使用的是带有20 Vp-p脉冲的±12伏电源。
  LM6132/34应用提示(续)
  当Cf为39pf时,获得细胞反应。在图4中,电源已降至±2.5V,脉冲为4vp-p和Cf为39pf。补偿的最佳价值电容器应在电路板布局完成后建立,因为该值取决于电路板杂散电容、反馈电阻值、闭环增益在某种程度上,还有供电电压。所有opamp的另一个共同影响是反馈电阻和输入电容引起的位移。这种相移也降低了相位裕度。当电容器放置在反馈电阻。图5所示的电路用于这些范围照片。
  
  
  图6显示了通过在输出端和反馈电容之间输出和反向输入引脚。反馈电容器补偿由反渗透和一氧化碳引入的磁极,最小化输出波形中的振铃,而反馈电阻RF补偿由反渗透引入的直流误差。根据负载电容的大小roi通常选择在100Ω到1 kΩ之间。
  
  典型应用
  3 OPAMP仪表放大器轨对轨输入和输出使用LM6134,一个带可以进行轨对轨输入和轨对轨输出。这些这些特性使这些仪表放大器成为单一供应系统。一些制造商使用精密分压器阵列5个电阻器,用于划分共模电压,以获得轨对轨或更大的输入范围。这个问题方法是它也把信号分开,这样就可以得到统一增益,放大器必须在高闭环增益下运行。这将通过内部增益因数和降低输入阻抗。这些精密电阻器中的任何失配都会降低CMR。使用LM6134,所有这些问题都消除了。在这个例子中,放大器A和B充当不同级的缓冲器(图7)。这些缓冲区确保输入阻抗超过100 MΩ,并且它们消除了输入级对精确匹配电阻器的要求。他们同时确保差分放大器由电压驱动来源。这对于维护由R1-R2与R3-R4的匹配。
  典型应用(续)
  
  平板显示器缓冲
  LM6132/34的三个特点使其成为TFT-LCD应用。首先,它的低电流消耗(每放大器@5V)是电池供电的理想选择在笔记本电脑中的应用。第二,自从设备工作电压降到2.7伏,这是下一步的自然选择第3代TFT面板。最后,但并非最不重要的一点是,LM6132的大容量容量容量驱动器非常方便在驱动具有以下特性的高容性负载时LCD显示驱动程序。LM6132/34铝的大电容驱动能力降低了其用作伽马校正缓冲器的能力,参考电阻DAC型柱(源)的输入电压TFT-LCD面板驱动程序。这个放大器也适用于仅缓冲中心参考电压输入电容器DAC型列(源)驱动器,如LMC750X系列。因为对于VGA和SVGA显示器,缓冲电压必须在大约4微秒的范围内解决,众所周知的技术是使用一个小的隔离电阻与am放大器的输出串联,非常有效地抑制输出。其宽的电源电压范围为2.7伏至24伏)LM6132/34可用于多种应用。因此,系统设计器可以选择单个设备为系统中的许多子电路服务的类型,消除需要在物料清单中指定多个设备。以及它的部分,LM6142和LM6152具有相同的宽电源电压能力,可选择设计中的LM6132消除了为新设计搜索多个源的需要。

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