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BeN4单层作为钾离子电池的优秀狄拉克阳极材料
2023-10-17 09:31

在全球环境的推动下，锂离子电池（LIBs）由于其容量大、能量密度高、稳定性好、使用寿命长等特点，几十年来一直在高速发展。...

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EDA探索之图说集成电路关键尺寸
2023-8-2 14:46

对于现在的集成电路而言，纳米数字已经不再代表栅长。那么实际的栅长则可以由TEM照片获得。以下图片皆为网上收集的带标尺的TEM照片，可以给栅长与工艺名称之间，建立一些相关性。...

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EDA探索之Intel集成电路工艺发展历史
2023-8-2 14:43

几十年来，英特尔一直使用相同的命名方案。所有工艺技术（包括封装技术）都以 "P "开头，然后是晶圆尺寸和工艺 ID。一般来说，工艺 ID 是一个自动递增值，奇数值通常保留给 SoC 和 I/O（低功耗...

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EDA技术探索之BSIM3模型
2023-5-10 11:22

BSIM3模型的核心是它的I-V模型，即电流-电压特性模型，它描述了MOSFET器件在不同的偏置条件下的电流响应。...

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锂离子电池离子液体电解质体系的MD模拟
2023-4-23 11:05

选用适当力场和模拟软件。选择适当的力场是进行MD模拟的基础，可以快速地获得准确的模拟结果。针对离子液体FSI选择OPLS力场即可，确定原子类型。...

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一文解析DASP CdTe的本征缺陷计算
2023-4-5 10:16

针对任一半导体，DASP软件可以计算给出如下性质：热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷（含杂质，下同）形成能、缺陷转变能级、各生长条件下的费米能级、载流子和缺陷浓度、缺陷的光致发光谱、缺陷对载流子的俘获截面、辐射...

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EDA探索之MOSFET的微缩- Moore’s Law介绍
2023-3-29 14:25

摩尔定律提出的时候，还处于Happy Scaling Era（EDA探索丨第11期：MOSFET收缩，Happy Scaling Era）。所以除了器件密度的翻倍，大家通常所认识的摩尔定律还隐含着其它的一些含义。...

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EDA探索之MOSFET的微缩-nanosheet era
2023-3-24 12:20

主要的障碍在于n型和p型器件之间需要很大的空间余量，这使得有效纳米片宽度在按比例的单元高度中变得困难，空间被功函数金属的图形化步骤所消耗。...

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EDA探索之MOSFET收缩规则
2023-3-13 14:16

High K材料与金属栅实际上是两项技术改进，但是由于他们往往联袂出现，所以经常称为HKMG。...

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EDA探索之MOSFET收缩，Happy Scaling Era
2023-3-6 11:14

一般而言，每一代集成电路工艺在尺寸上缩减至上一代的0.7倍（即S因子1.428），表现在面积上，就是0.7的平方，0.49倍。即面积比原来小一半，密度比原来高一倍。...

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EDA技术探索之窄沟道效应与反窄沟道效应
2023-2-24 11:30

其中栅极方向与有源区方向呈垂直交错，中间白色的区域就是隔离区，或称为场区。我们最常见的照片是沿着有源区方向做截面的，如果沿着栅极方向做截面，则可以看到完整的沟道和场氧化层的截面。...

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EDA探索之新型垂直互补场效应晶体管（CFET）结构设计
2023-2-16 10:27

集成电路密度的提升是一个业界持续追求的方向，也是“集成”的含义所在。提升集成电路器件密度有多种方式，其中降低器件的单位面积是最根本也是最有效的途径。...

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EDA探索之控制阈值电压
2023-2-9 14:26

精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。...

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EDA技术探索之源漏穿通解析
2023-2-3 11:44

以NMOS为例在源漏穿通发生之后，对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后，有一定可能被电场直接扫进漏极，进而被漏极收集，从而实现电流从源极到漏极的导通。...

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EDA探索之GIDL技术分析
2023-1-31 12:19

一般来讲，我们认为器件在线性区漏极电压很小，没有GIDL现象。从上图明显可以看到在0V时Idsat曲线比Idlin曲线的电流高了两个数量级。在反方向继续扫描Idsat曲线，Ioff反而会进一步升高。...

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