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发布了文章 2022-12-9 11:31

第三代半导体碳化硅器件在应用领域的深度分析

SiC（碳化硅）器件作为第三代半导体，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏、航天、军工等环境应用领域有着不可替代的优势...以下针对SiC器件进行...

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发布了文章 2022-11-29 12:00

台积电大量工程师赴美为亚利桑那州5纳米厂输送关键人才

随着机器设备到厂，意味厂房已部分完工，接下来将为迁入第一批用于半导体制造的尖端设备做好准备；亚利桑那州5纳米厂约于18个月前动工，建设进度如预期，将于2024年开始量产，月产能2万片。...

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发布了文章 2022-11-25 17:13

芯闻看点：传AMD要涨价最高涨25% 苹果欲以70亿美元竞购曼联

1、传闻AMD已通知涨价 11月22日业界有消息传出，AMD已经向经销商发送了一封涨价函。 AMD称，Xilinx系列产品价格将上调8%，Spartan 6 系列产品价格将上涨25%，Versal系列产品价格不变。新订单、库存、积压订单以及...

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发布了文章 2022-10-19 15:10

中国大陆2025年300mm前端晶圆厂全球产能份额将增加至23%

Ajit Manocha补充道，目前SEMI正在追踪67家新300mm晶圆厂、或预计从2022 ~ 2025年投建的主要新增生产线。...

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发布了文章 2022-6-6 14:42

功率半导体：电子装置电能转换与电路控制的核心

功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性，主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外，因其能够减少电能浪费，功率半导体还能起到节能、省电的作用。...

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发布了文章 2022-5-18 14:04

置于材料端，何为MOSFET呢？

其中，高压超级结 MOSFET，是一种可以广泛应用于模拟与数字电路的基础微电子元器件，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点；其中，高压MOSFET 功率器件通常指工作电压为 400V 以上的 MOSFET 功率器件。...

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发布了文章 2022-5-6 14:57

碳化硅功率模块封装中的4个关键问题

耐温更高：可以广泛地应用于温度超过600 ℃的高温工况下，而 Si 基器件在 600 ℃左右时，由于超过其耐热能力而失去阻断作用。碳化硅极大提高了功率器件的耐高温特性。...

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发布了文章 2022-5-6 14:49

微系统技术的现状和发展趋势

从半导体材料来说，宽禁带半导体的异军突起为微系统技术提供了有力的基石;国外以GaAs为代表的第二代半导体已发展成熟，正大力发展以GaN为代表的第三代半导体MMIC器件。表1是几种半导体材料的特性参数对比，图1是半导体输出功率极限与频率关系。...

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