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dyzacxahj059

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高k金属栅(HKMG)工艺详解
2024-1-19 10:01

随着集成电路工艺技术不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低和沟道的掺杂浓度也不断增...

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WAT技术详解
2023-7-17 11:40

WAT技术详解...

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Overlay如何与EUV图案保持同步
2023-7-10 11:27

套刻计量（Overlay metrology）工具可提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的设备中的竞争要求。...

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基于PVD 薄膜沉积工艺
2023-5-26 16:36

PVD篇 PVD是通过溅射或蒸发靶材材料来产生金属蒸汽，然后将金属蒸汽冷凝在晶圆表面上的过程。应用材料公司在 PVD 技术开发方面拥有 25 年以上的丰富经验，是这一领域无可争议的市场领导者。 PVD 沉积工艺在半导体制...

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各种CVD材料介绍
2023-5-25 14:41

Producer Black Diamond 3 系统设计为可与应用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系统配合使用。Nanocure 3 系统通过使用高密度的紫外线源来固化和密化 Black...

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中微公司推出12英寸薄膜沉积设备Preforma Uniflex™ CW
2023-5-10 10:29

作为中微公司自主研发的产出效率高且性能卓越的12英寸LPCVD设备，Preforma Uniflex CW可灵活配置多达五个双反应台反应腔（十个反应台），每个反应腔可以同时加工两片晶圆，在保证较低的生产成本和化学品消耗的...

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晶圆键合类型介绍
2023-4-20 09:43

这是一种晶圆键合方法，其中两个表面之间的粘附是由于两个表面的分子之间建立的化学键而发生的。...

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什么是Hybrid Bonding？Hybrid Bonding是铜铜键合吗？
2023-4-20 09:40

在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点（Micro bump）来实现芯片与基板...

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提高铜互连优势的方法
2023-2-17 11:04

铜的替代品，如钌和钼，可以集成使用双镶嵌。不过，它们可能更适合使用金属蚀刻的减法方案，自从铝互连的日子以来，金属蚀刻还没有在逻辑中广泛使用。...

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TSV关键工艺设备及特点
2023-2-17 10:23

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。本文笔者在综述 TSV 的工艺流程和关键技术基础上 , 对...

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DISCO：一家少被提及的半导体设备巨头
2023-1-31 10:16

在深入探讨这些主题之前，让我们简要介绍一下公司的历史以及他们独特的文化。在专注于半导体之前，DISCO 被称为 Dai-Ichi Seitosho CO。...

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DRAM制程分享
2023-1-30 16:40

追求更小的 DRAM 单元尺寸（cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点，DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无论考虑使用 DUV 还是 EUV 光刻，图案化挑战都是重大的。特别是...

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DRAM的电容技术发展历程
2023-1-12 09:18

通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型薄膜，通过三个I_V曲线描述漏电性能，XRD表明晶相，C_V测算K值得到优越性能。最后还通过“浴缸图”、良率比较图等大数...

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DRAM存储电容概述
2023-1-12 09:12

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。...

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3D NAND结构给制造过程带来的挑战
2023-1-8 11:22

扩大支撑列可以提供更好的结构稳定性，但会增加字线电阻，占用更多的空间。因此，在器件的结构完整性允许的情况下，最大程度地减小支撑列的尺寸和数量对器件结构是有帮助的。...

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