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dyzacxahj059

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点赞了视频 2024-2-3 01:45

华为与江淮合作首车为百万豪车对标宝马7系


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发布了文章 2023-2-23 14:57

第四代宽禁带半导体材料——氮化镓

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料...

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发布了文章 2023-2-17 11:04

提高铜互连优势的方法

铜的替代品，如钌和钼，可以集成使用双镶嵌。不过，它们可能更适合使用金属蚀刻的减法方案，自从铝互连的日子以来，金属蚀刻还没有在逻辑中广泛使用。...

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发布了文章 2023-2-17 10:23

TSV关键工艺设备及特点

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。本文笔者在综述 TSV 的工艺流程和关键技术基础上 , 对其中深孔刻蚀、气相沉...

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发布了文章 2023-1-31 10:16

DISCO：一家少被提及的半导体设备巨头

在深入探讨这些主题之前，让我们简要介绍一下公司的历史以及他们独特的文化。在专注于半导体之前，DISCO 被称为 Dai-Ichi Seitosho CO。...

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发布了文章 2023-1-31 09:47

泛林集团的选择性刻蚀方法：Argos、Prevos和Selis

微缩（即缩小芯片中的微小器件，如晶体管和存储单元）从来都不是容易的事情，但要想让下一代先进逻辑和存储器件成为现实，就需要在原子级的尺度上创造新的结构。当处理这么小的维度时，可以变化的空间微乎其微。...

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发布了文章 2023-1-30 16:40

DRAM制程分享

追求更小的 DRAM 单元尺寸（cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点，DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无论考虑使用 DUV 还是 EUV 光刻，图案化挑战都是重大的。特别是，ASML 报告说，...

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发布了文章 2023-1-12 09:18

DRAM的电容技术发展历程

通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型薄膜，通过三个I_V曲线描述漏电性能，XRD表明晶相，C_V测算K值得到优越性能。最后还通过“浴缸图”、良率比较图等大数据证明其可靠性。...

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发布了文章 2023-1-12 09:18

浅谈DRAM的电容技术演变进程

可通过去除电容外部杂质硼和氢，减少电容器形成后的热量预算，消除泄漏电流的退化，而不改变电容器的结构或材料。...

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发布了文章 2023-1-12 09:12

DRAM存储电容概述

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。...

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发布了文章 2023-1-9 14:20

浅谈DRAM制造工艺及微缩挑战

薄沉积的使用可以使抗蚀剂硬化，厚沉积的使用可以缩小临界尺寸（Critical Dimensions：CD）。...

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发布了文章 2023-1-9 14:18

一文解析DRAM的制造工艺流程

为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。...

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发布了文章 2023-1-8 11:22

3D NAND结构给制造过程带来的挑战

扩大支撑列可以提供更好的结构稳定性，但会增加字线电阻，占用更多的空间。因此，在器件的结构完整性允许的情况下，最大程度地减小支撑列的尺寸和数量对器件结构是有帮助的。...

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发布了文章 2023-1-7 14:08

一文解读DRAM的9大刻蚀技术

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于在设定的分布范围内对各种变量进行管理，并且每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。...

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发布了文章 2023-1-4 15:54

台积电3nm FinFET工艺

最小 Lg 是沟道栅极控制的函数，例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极围绕薄沟道的 FinFET，从而实现更短的 Lg。FinFET 的栅极控制在鳍底部最弱，优化至关重要。...

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