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  • 通过并联SiC MOSFET功率器件,可以获得更高输出电流,满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。...
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  • 量子科技、具身智能、6G等未来产业,都依赖半导体技术的支撑,头部半导体企业拥有长期高增长前景。三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部部长赤田智史在接受采访时表示,上海为外资企业的投资与运营提供了诸多便利,三菱电机从中受...
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  • 栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键,设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等,本章节带你了解栅极驱动电压的影响以及驱动电源的要求。...
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  • 栅极驱动器是保证SiC MOSFET安全运行的关键,设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等,本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。...
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  • 三菱电机集团今日宣布,将于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)。作为该企业SL...
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  • 三菱电机集团近日宣布,将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块的样品。该模块是一款3.3kV/1500A的大容量功率半导体,专为轨道交通车辆等大型工业设备设计。...
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  • 近日,在“智慧新生态,共赢新时代”2025海尔智家全球供应商合作伙伴大会上,三菱电机凭借为其变频空调和变频洗衣机提供品质卓越的SLIMDIP、超小型DIPIPM、小型DIPIPM和大型DIPIPM,荣获海尔智家“质量引领...
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  • SiC MOSFET的动态特性

    2025-3-26 16:52
    本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外,还应注意测试波形的准确性。...
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  • SiC MOSFET的静态特性

    2025-3-12 15:53
    商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V,而SiC拥有更高的击穿场强,在结构上可以减少芯片的厚度,从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻,使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。...
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  • SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用,本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。...
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  • SiC芯片可以高温工作,与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温,其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进,本文带你详细了解内部的封装技术。...
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  • 三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块,采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构,与现有的Si-IGBT模块相比,显著降低了功率损耗,同时器件内部杂散电感降低约47%。...
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  • 三菱电机株式会社近日宣布,将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样品,适用于太阳能和其他可再生能源发电系统。该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,有助于降低太阳能发电系统、...
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  • 在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。...
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  • 三菱电机集团近日宣布,将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块样品,这两款模块额定电压均为1.7kV,适用于铁路车辆和直流输电等大型工业设备。得益于三菱电机专有的绝缘栅双极型晶体...
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