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  • 晶体三极管按照材料可以分为以下两种,分别是锗管和硅管,不管哪一种的结构形式,而我们使用最多的就是硅NPN和锗PNP两种三极管,其工作原理主要的是利用的半导体之间的连接进行集电工作。
    倩倩
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  • 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
    h1654155282.3538
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  • 场效应管中,导电过程是多数载流子的漂移运动,故称为单极型晶体管;双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
    姚小熊27
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  • 双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
    姚小熊27
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  • 在本文中,我们将在转换函数中使用大致相当于1 ppm的非线性度表现谐波失真的–120 dBc失真。
    西西
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  • 在通常情况下,由于输入信号相对于输出信号小的多,因此这4种作用中反馈电路对输入信号的直通作用忽略不计。当反馈信号很弱时,由于反馈电路电阻相对于放大电路输入和输出电阻很大,故对输入信号和输出信号的负载作用也可忽略不计。一般情况下,反馈信号都比较强,反馈电路对输入信号和输出信号的负载作用是不能忽略的。这里仅就忽略直通作用,反馈电路仅有对输入信号、输出信号的负载作用和对输出信号的反馈作用,对反馈放大电路进行讨论。
    牵手一起梦
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  •  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
    姚小熊27
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