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  • 关注了版块 2023-2-25 11:15

    工程师杂谈|交友

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  • 收藏了文章 2022-12-21 22:57
    集成电路设计发展到超深亚微米,其特征尺寸越来越小,并趋近于曝光系统的理论极限,光刻后硅片表面的成像将产生严重的畸变,即产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect)。随着光刻技术面临更高要求和挑战,人们提出了浸没式光刻...
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  • 收藏了文章 2022-12-12 11:39
    作者:IMEC的JAE UK LEE,RYOUNG HAN KIM和SIEMENS EDA的REHAB KOTB ALI的DAVID ABERCROMBIE 半导体行业开始使用多图案技术在20纳米工艺节点上制造IC。当我们到达7 nm时,就...
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  • 收藏了文章 2022-12-12 10:06
    作者: JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士,DAVID ABERCROMBIE,REHAB KOTB ALI和MENTOR的AHMED HAMED-FATEHY 自对准多图案化工艺已成为最先进节点的必要条件,在...
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  • 收藏了文章 2022-12-12 09:55
    通过逐步的说明,本系列说明并向您展示了确保在当今最先进的节点中确保布局保真度所需的自对准模式创建的复杂性。第1部分介绍了SADP和SAQP。在本期的最后一部分中,我们将向您介绍自对准光刻蚀刻光刻的基本知识(SALELE)。 销售 在“销售”...
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  • 收藏了文章 2022-12-12 09:51
    无论芯片设计工程师有多认真,以及他们使用什么实施工具,验证团队在分解自对准双图案(SADP)设计的签核验证期间将始终遇到设计规则检查(DRC)错误。如果设计是手动分解的,则工程师必须弄清楚需要进行哪些修改,然后在可能的多个分解层中进行更改以...
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  • 关注了专栏 2022-12-12 09:44
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