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非易失性存储器-Nor Flash的特点都有哪些
2020-12-7 14:17

Flash（快闪或闪存）由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand Flash两大类。 No...

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关于易失性存储器SRAM基础知识的介绍
2020-12-7 14:26

存储器概况存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。非易失性存储器非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设...

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关于嵌入式STT-MRAM效应与流致反转的分析
2020-12-7 14:24

最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。后来科学家们想出了用...

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以访问外部SDRAM为例来说明降低外部存储系统功耗的方法
2020-12-2 15:50

为了降低DSP外部SDRAM存储系统的功耗，针对DSP访问片外SDRAM的功耗来源特点，提出了基于总线利用率动态监测的读写归并方案。该方案动态监测外部存储器接口（EMIF）总线的利用率，根据总线利用率的不同选择开放的页策...

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各种随机存储器件之中，SDRAM脱颖而出的优势是什么
2020-12-2 16:36

在现代的通信及基于FPGA的图像数据处理系统中，经常要用到大容量和高速度的存储器。SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。在各种的随机存储器件中，SDRAM的价格低，...

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如何提升FRAM MCU的速度并降低其所需的功耗
2020-12-2 16:33

采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢？举例说明：TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写...

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关于提升SRAM性能的传统方法的详细介绍
2020-12-2 16:29

随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起，低功耗芯片受到了越来越广泛的关注。这类芯片对性能和功耗要求苛刻。静态随机存储器（SRAM）作为芯片的重要组成部分，大程度上影响着芯片的面积和功耗，因此其功耗的优化成了芯片功耗优...

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未来MRAM存储器将占主导地位并取代其它所有类型
2020-11-24 14:45

MRAM是磁阻式随机存取存储器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器（ NVRAM ）技术，从20世纪90年代以来开始开发就已经取得惊人的...

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关于传统存储器和新兴存储器应用的简单分析
2020-11-24 16:29

旧版存储不再是使用寿命短的低端设备，因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网，持久可能是这些根深蒂固的记忆的更好标签。过去的DRAM不再用于较...

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新兴存储器铁电RAM嵌入式应用的优势是什么
2020-11-20 13:56

存储器IC市场一直是动态的，但是随着边缘计算，人工智能（AI），5G和自动驾驶的兴起，对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行，使工作和商业领域发生了巨大变化，而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战，...

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自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）有着出色的可扩展性和耐用性
2020-11-20 15:23

自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使...

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基于嵌入式STT-MRAM的架构方案的详细讲解
2020-11-20 15:20

本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构，将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长，降低整体使用成本。...

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MCU功耗在目前的电池供电应用中正变得越来越举足轻重
2020-11-17 16:02

MCU功耗在目前的电池供电应用中正变得越来越举足轻重。大多MCU微控制器芯片厂商都提供低功耗产品，但是选择一款最适合自己应用的产品并非易事，并不像查询对比数据表的数据那么简单。在选择低功率MCU时需要考虑外设功耗与电源...

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Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns
2020-11-17 16:35

Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是该公司4兆字节快速异步SRAM的后续产品.Cypress负责这种新SRAM设计流程中﹐从概念设...

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集成铁电存储器MCU为物联网应用提供了出色的性能
2020-11-17 16:33

集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人...

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