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  • 意法半导体新推出的STM32L4+微控制器极具性价比,集成最低的存储容量512KB的闪存和320KB的SRAM,提供紧凑的10mmx10mm64引脚和7mmx7mm48引脚两种封装选择,例如可穿戴设备的外观尺寸。 借助意...
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  • 选择MRAM的理由

    2020-4-8 15:01
    MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力,但截至20...
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  • Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发...
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  • FLASH擦写寿命流程

    2020-4-9 09:23
    由于硬件成本原因,在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块,通常我们可以采用在片内FLASH存储器中保存非易失性数据的应用方式来达到使用要求。对一些普通的应用场合,这种使用方式可以满足要求。本应用笔记介绍了使用代...
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  • MRAM的优势与劣势

    2020-4-9 09:13
    MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子...
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  • 业界领先的半导体供应商兆易创新MCU GD32F3系列提供了3大系列37个产品型号,包括LQFP144、LQFP100、LQFP64和 LQFP48等4种封装类型选择。从而以前所未有的设计灵活性和兼容度轻松应对飞速发展的...
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  • 韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组,将为高端PC和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品。 三星电子DRAM芯片产品与...
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  • 在分析传统SRAM存储单元工作原理的基础上,采用VTC蝴蝶曲线,字线电压驱动,位线电压驱动和N曲线方法衡量了其静态噪声容限。 在这种背景下,分析研究了前人提出的多种单元优化方法。这些设计方法,大部分仅仅优化了单元读、写一...
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  • 灵动微电子是国内具有一定名气的MCU产品与应用方案的领先供应商,目前基于ARM Cortex-M0及Cortex-M3 内核的MCU产品包括了针对通用高性能市场的MM32F系列,针对超低功耗及安全应用的MM32L系列,具...
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  • 智慧城市提供的服务越来越多,而用于收费的服务也逐渐增多。随着城市物联网(IoT)基础设施不断扩展,当地企业自然而然地也开始加以利用。在这个发展过程中,人们期望可以使用合适的电子货币支付小额费用和小额购买,即进行小额支付。...
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  • ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中,电子的自旋使用自旋极化电流翻转。...
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  • ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速异步SRAM,4,194,304位静态RAM,组织为524,288字乘8位,采用ISSI的高性能CMOS技术制造,这...
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  • 电子电路是我们今天生活的世界的大部分看不见的部分。这些电路存在于微芯片或芯片中,这些芯片结合了性能,智能和效率方面的最新进展。全球成千上万的电子设备中每天都有数百或数千个这样的芯片被集成在一起。在这个看不见的领域中,意法...
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  • SDRAM从发展到现在已经经历了五代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用单端(Single...
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  • 外部SRAM注意事项 为使外部SRAM器件达到出最佳性能,建议遵循以下原则: 使用与连接的主系统控制器的接口数据带宽相同的SRAM。 如果管脚使用或板上空间的限制高于系统性能要求,可以使用较连接的控制器的数据带宽小一些的...
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