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非易失性存储器FM33256B-G特征介绍
2021-5-17 16:43

FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及可用于断电（NMI）中断...

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FRAM的应用场景
2021-5-12 16:52

FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器，由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点，FRAM在此领域迅速占领了市场；随着电子设备和存储数据需求的增多使得FRAM受到广泛应用，FRAM能用于如智能电表、水表和煤气表等的常见...

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铁电存储器FRAM的优劣势
2021-5-11 17:32

FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技...

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医疗刺激装置如何通过外部存储器来实现高性能
2021-5-11 17:19

随着技术的不断进步，消费类、便携式医疗设备的功能越来越强大，越来越完善，极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性，同时保证了用户健康信息的安全性，价格也合理。这些全新的高级功能需要更强的处理能力、安全性和连接性。日益...

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富士通FRAM在存储智能电表重要数据应用中的作用
2021-5-11 17:18

工业物联网的蓬勃发展，对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言，数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案商需考虑挑选合适的存储产...

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FRAM车规级是满足汽车电子无延迟要求的优先存储器选择
2021-5-11 17:17

富士通从1999年开始推FRAM产品已经连续推了18年，应该说已经有不少客户采用并认可了FRAM产品。至于富士通为什么这么迫切的推FRAM也可以理解，富士通控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片开发和量产及组装程序。...

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Everspin MRAM加强了RIM智能电表的即时非易失性
2021-5-11 17:15

今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。 Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存可靠性和低能耗的强大环境而...

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富士通的非易失性铁电存储器FRAM有着广泛的应用
2021-4-26 15:49

富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM，富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器，FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签...

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富士通FRAM一路走来，它是如何崛起的
2021-4-26 14:31

FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么FRAM是如何崛起的呢？以...

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与富士通FRAM相比，Everspin MRAM有哪些优势
2021-4-26 14:25

Everspin是设计制造MRAM到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是MRAM产品的长期可靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒（Chandler）设有制...

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一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案
2021-4-25 18:09

最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络。上图显示了台积电用于其测试的扩展SRAM阵列配置——阵列的一部分被圈出。每个切片具有256个数据输入，它们连接...

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并行MRAM存储芯片MR5A16A的特点是怎样的
2021-3-19 16:29

MR5A16A是一个33，554，432位MRAM存储芯片器件，组织为2097152个16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序（对于汽车温度选项为45ns），并且具有无限的耐久性。数据在20年以上始终...

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并口MRAM存储芯片MR4A16B的特性是怎样的
2021-3-19 16:27

MR4A16B是一个16，777，216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1，048，576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的...

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关于IS61WV204816ALL高速异步SRAM
2021-3-19 16:25

ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。当...

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非易失性存储器在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性
2021-3-19 16:23

EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设...

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