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  • 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。
    电子元器件小涛
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  • TOLG封装结合了TOLL与D 2PAK 7针脚封装的最佳功能,与TOLL共用相同的10 x 11 mm 2基底面与电气性能,并增加了与D 2PAK 7针脚相容的弹性。
    西西
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  •   功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET,但很少用于耐高压的功率电路中),如下图是这种MOSFET的分层结构图。
    Baekhyn0506
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  • 在变频控制中,目前常用的是三相逆变桥,就像下面的图中一样。三相逆变桥中的U1, U2, V1, V2, W1, W2是控制6个IGBT的驱动信号。
    小刘
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  • LLC半桥谐振电路中,根据这个谐振电容的不同联结方式,典型LLC谐振电路有两种连接方式,如下图1所示。不同之处在于LLC谐振腔的连接,左图采用单谐振电容(Cr),其输入电流纹波和电流有效值较高,但布线简单,成本相对较低;右图采用分体谐振电容(C1, C2),其输入电流纹波和电流有效值较低,C1和C2上分别只流过一半的有效值电流,且电容量仅为左图单谐振电容的一半。
    ry3m_Power_unio
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