发 帖  
经验: 积分:30
江苏省 苏州市 测试测量
  •   NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
    姚小熊27
    32011次阅读
    0条评论
  • 本文主要介绍了施密特触发器的特点_施密特触发器作用。施密特触发器是最常用的整形电路之一。施密特触发器的显著特点是:施密特触发器有两个稳定状态,其维持和转换完全取决于输入电压的大小;电压传输特性特殊,有两个不同的阈值电压(正向阈值电压和负向阈值电压);状态翻转时有正反馈过程,从而输出边沿陡峭的矩形脉冲。下面我们来具体看看吧。
    ss
    49764次阅读
    0条评论
  • MOS管的实际应用 2019-07-08 16:13
    对于N型MOS管,若G、S之间为高(电压方向G指向S,具体电平看具体MOS管 ),D、S(电压方向D指向S)之间就会导通,此时D、S间相当于一个很小的电阻,若G、S之间为低(具体电平看具体MOS管 ),D、S之间就会截止,此时D、S间相当于一个很大的电阻,电流就无法流过。
    倩倩
    19937次阅读
    0条评论
  • nmos和pmos有什么区别 2017-11-06 10:40
    mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
    小茗技术员
    310126次阅读
    0条评论
  • 本文开始介绍了MOS管概念和MOS管工作原理,其次介绍了MOS管的性能参数以及mos管三个引脚的区分方法,最后介绍了MOS管是如何快速判断与好坏及引脚性能的以及介绍了mos管的作用。
    姚小熊27
    107317次阅读
    0条评论
  • NMOS和PMOS的导通特性 2018-09-23 11:44
    项目中最常用的为增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。由于NMOS其导通电阻小,且容易制造所以项目中大部分
    GReq_mcu168
    64563次阅读
    0条评论
  • 相信有很多人都对计算机里的各种存储器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就会存在,内存条是 dram 还是 nand?nand flash 和 nor flash 的区别又是什么?程序运行是在DRAM还是 NOR FLASH?ram 和 rom 的区别?等等的疑问。 从 IT 小白到资深工程师都会存在这种现象。本文将根据个人理解,从存储器与 CPU 的接口、程序运行的角度,系统而详细介绍各种存储器的分类与用途,从而让读者深刻的认识并区分各种存储器。 ROM ROM 是只读存储器(Read-Only Memory)的简称,是
    454398
    11489次阅读
    0条评论
  • DRAM、SRAM和Flash都属于存储器,DRAM通常被称为内存,也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱,但他却是CPU性能发挥的关键。
    jf_f8pIz0xS
    12796次阅读
    0条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 0 次赞同

    获得 8 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /6 下一条

返回顶部