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QjeK_yflgybdt

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发布了文章 2021-1-26 16:07

关于英飞凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力

虽然如今设计的典型工业级IGBT可以应付大约10μs的短路时间，但SiC MOSFET几乎没有或者只有几μs的抗短路能力。这常常被误以为是SiC MOSFET的一个基本缺陷。但通过更为详细的背景分析发现，有些类型的IGBT也不能应付短路工况...

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发布了文章 2021-1-12 16:09

工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性

《工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——偏压温度不稳定性（BTI）》在正常使用器件时，由于半导体-氧化层界面处缺陷的产生和/或充放电，SiC MOSFET的阈值电压可能略有漂移。阈值电压的漂移可能对器件的长期运行产生明显影响，具...

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发布了文章 2021-1-8 14:11

英飞凌最新推出的X3系列驱动芯片

俗话说，好马配好鞍，好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等，为IGBT的安全运行保驾护航。然而有保护功能的驱动芯片，大部分的参数都...

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发布了文章 2021-1-8 14:09

英飞凌栅极驱动器IC带来更大设计灵活性和更低硬件复杂性

英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了EiceDRIVER X3 Enhanced系列analog（1ED34xx）和digital（1ED38xx）栅极驱动器IC。这些器件具备3、6和9A的典型输出电流、精...

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发布了文章 2021-1-8 11:34

英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。该系列为...

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发布了文章 2020-12-9 10:37

IGBT芯片技术：首次将压降芯片的工作结温提高到150℃

IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术，业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃，并大幅降低了其导通压降VCEsat（150℃下典型值约2.7V）。此芯片可以降低系统损耗提高效率，同时也扩展了系统安全工作区。...

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发布了文章 2020-11-3 14:09

英飞凌新品：采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。了解使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法...

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发布了文章 2020-10-22 09:33

IGBT单管TRENCHSTOP IGBT7产品概述

TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装，电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压（650V）、一流的性价比和效率，实现简单的即插即用解决方案。 IGBT7 T7主要针对工业电机驱动应用、...

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发布了文章 2020-10-22 09:22

风电中的变桨控制的原理与要求

风电，将风能转化为电能，正是新能源应用的一个重要领域。经过近百年的发展，现代风力发电机系统，从塔筒高度，叶轮直径，输出功率，控制复杂度都在不断创造新的记录，仅国内最新型风力发电机的输出功率可达10MW，塔筒高度可达115米，叶轮直径可达18...

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发布了文章 2020-9-23 17:03

“依托英飞凌IGBT和SiC技术的CIPOSIPM在工业领域的应用”网络研讨会上的问答

1 CIPOS代表什么? A.CIPOS是英文Control Integrated Power System的缩写，即控制集成电力系统。CIPOS是英飞凌独有的注册商标。 2 CIPOS Maxi智能功率模块（IPMs）是英飞凌的一个半导体...

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发布了文章 2020-9-23 16:58

回顾英飞凌第四届家电生态圈群英汇分享了哪些内容

英飞凌第四届家电生态圈群英汇日前顺利落下帷幕。本届群英汇以芯生态智生活共未来为主题，与会嘉宾就高效节能，智能家电，碳化硅和氮化镓等热点话题，分享了当下家电市场的主流应用方案和设计要点。目前视频已在英飞凌家电生态圈网站上线，让我们一起来回顾那...

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发布了文章 2020-9-23 16:51

英飞凌 FF1800R17IP5可应用于海上风电

海上风电进入大兆瓦风机赛道，对可靠性需求凸提示 2020年，中国以及全球海上风电进入快速增长期，新一轮的海上风电竞赛越发激烈，SGRE西门子歌美飒凭借14MW机型刷新了单机最大功率记录（GE：12MW），MHI-Vestas 三菱维斯塔斯...

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发布了文章 2020-9-23 14:12

高效率大功率T型三电平IGBT方案

日前，英飞凌在欧洲PCIM上介绍了PrimePack+封装的全新产品，该产品基于最新的IGBT7芯片技术，大幅提高了额定电流能力，并定义了全新的2300V芯片电压，适用于1500Vdc系统。通过不同的拓扑结构和电压等级组合，有望成为下一代最...

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发布了文章 2020-9-7 09:56

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET的结构_特性_性能差异

作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高...

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发布了文章 2019-7-24 14:47

英飞凌的SOI驱动芯片有哪些优点？

本文主要介绍了英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的组成部分以及三个优势。...

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