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  • 发布了文章 2021-6-15 14:50

    从这几方面入手去全面了解功率MOSFET
    尽管分立式功率MOSFET的几何结构，电压和电流电平与超大规模集成电路（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。...
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    0条评论
  • 发布了文章 2021-6-11 17:04

    简要分析IGBT模块的等效热路模型
    功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。...
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    8729次阅读
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  • 发布了文章 2021-5-14 10:05

    器件失效专业术语FIT和MTBF的概念
    在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有...
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    20144次阅读
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  • 发布了文章 2021-4-1 14:26

    英飞凌IGBT模块的命名规则是什么？
    要想搭建一个优秀的电力电子系统，正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号略感头痛，但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字，便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装等等丰富的信息。如果熟悉了命名...
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  • 发布了文章 2021-3-26 16:40

    简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
    前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/...
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    3367次阅读
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  • 发布了文章 2021-3-26 15:48

    如何基于通用半桥模块来设计三电平变流器
    PPT导读 通用半桥模块（infineon命名为FF）是最常见的IGBT封装型式，大规模用于两电平DC/AC变换器中，电压电流型号丰富，且具有较高的性价比。本文主要介绍基于半桥模块设计的三电平注意事项，和如何通过不同的PWM调制策略来优化系...
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    4306次阅读
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  • 发布了文章 2021-3-18 18:01

    电压型变频器驱动电机时的一些寄生高频现象
    在电压型变频器驱动电机时会发生一些寄生高频现象，其取决于电机系统本身的整体条件。由于逆变器du/dt变化，在导线末端会产生高频电流，它会流经轴承和所涉及到的组件。 在电机中产生的轴电流可以分成三种：EDM火花引起的电流（EMD curren...
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    4494次阅读
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  • 发布了文章 2021-3-11 09:22

    SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性分析
    关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。这篇微信文章将延续“仿真看世界”系列一贯之风格，借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特...
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    4513次阅读
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  • 发布了文章 2021-3-3 15:55

    揭开光伏辅助电源的神秘面纱
    随着“3060”碳中和目标的提出，一时间光伏发电行业引起了社会的广泛关注。光伏逆变器是光伏发电中至关重要的设备，承担着电池板功率控制（MPPT）以及直流交流转换（DC/AC）的重任。每一台光伏逆变器，都有一套或者两套辅助电源默默的“点亮”控...
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    4523次阅读
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  • 发布了文章 2021-2-14 11:43

    分析和比较驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响
    本文作者北京交通大学电气工程学院穆峰，刘宜鑫，贾静雯，郝欣，杨勇，黄先进 摘要：随着电力电子应用越发趋于高压与高功率密度，单个模块已经无法满足其需求，功率器件的并联应用由于其经济性与可行性成为了解决该矛盾的有效方法。然而，并联系统的总体布局...
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  • 发布了文章 2021-2-13 17:24

    关于碳化硅的抗宇宙射线能力
    《碳化硅的抗宇宙射线能力》 半导体器件在其整个生命周期中都会受到核粒子辐射。这种辐射源自于高能宇宙粒子撞击大气层外围，并通过传播与核反应在低海拔处形成核粒子雨，参见图16。 图16.在之后由宇宙粒子引发的粒子雨示意图 图17.在高海拔处相对...
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  • 发布了文章 2021-2-12 17:40

    SiC MOSFET在实际应用栅极开关运行条件下的参数变化
    《SiC MOSFET在实际应用栅极开关运行条件下的参数变化（AC BTI）》 多年来，英飞凌一直在进行超越标准质量认证方法的应用相关试验，以期为最终应用确立可靠的安全运行极限。阈值电压和导通电阻在实际应用运行条件下的漂移，是我们深入研究的...
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    3866次阅读
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  • 发布了文章 2021-2-8 09:38

    碳化硅产品级别的质量认证
    《碳化硅产品级别的质量认证》 1. 根据实际应用条件进行超越当前标准的测试 对分立器件和模块，均按相关标准进行常规检测，其中包括HTRB、H3TRB和HTGS。这些试验对于技术的发布是必不可少的，结果被记录在发布每种产品主页上的PQR（产品...
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    8030次阅读
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  • 发布了文章 2021-2-8 09:36

    SiC MOSFET体二极管双极性退化问题
    今天我们继续讲解   《浅谈SiC MOSFET体二极管双极性退化问题》   机制 在双极性运行（PN结，比如MOSFET的体二极管，在导电时）条件下，任何类型的SiC器件都可能出现双极退化效应。这种效应主要是由SiC晶体上早先存在的基底面...
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    11264次阅读
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  • 发布了文章 2021-1-29 10:18

    英飞凌功率双极性半导体二极管和晶闸管的成熟技术
    我们已经步入第三代宽禁带半导体时代，碳化硅氮化镓是热点技术，但不能忽略，功率二极管，晶闸管还是应用最广泛的半导体器件，整流和大功率变流器需要它们，目前采用英飞凌晶闸管的全球最大HVDC装置，电压高达+/-800kV，变换功率8GW。 你知道...
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