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甘蓝

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山东省济南市丨设计开发工程

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基于InGaP/GaAs HBT和AlGaAs/InGaAs(D-Mode)pHEMT工艺的LTE-A宽带功率放大器设计 2017-10-28 06:59

针对LTE-A移动终端应用，采用双功率模式架构设计了一款宽带功率放大器，利用功放工作模式的切换，改善了功放回退区域的效率。该功放还采用了InGaP/GaAs HBT和AlGaAs/InGaAs pHEMT的一体化工艺，将功放电路与控制电路单片集成，实现模式控制的片上切换，能有效提高功放的集成度。该功放在工作电压为3.4 V，频率2.3～2.69 GHz范围内，使用10 MHz LTE调制信号输入，在输出功率为10 dBm时，测得LPM相对于HPM效率提高至少6%，有效提高了功放功率回退时的效率，功放的性能在全频带内满足3GPP协议要求。

SwM2_ChinaAET

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CMOS工艺流程详解，你Get到了吗？ 2018-03-16 10:40

CMOS工艺流程介绍1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；2. 开始：Pad ox

dnjK_WW_CGQJS

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