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cgqi_onsemi_chi

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发布了文章 2024-3-8 10:11

一文详解杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。...

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发布了文章 2024-3-6 10:09

关于LLC谐振半桥变换器的失效模式解析

在功率转换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为最具挑战性的议题。...

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发布了文章 2024-3-5 09:53

设计直流超快充电桩方案必知的几种常见拓扑

充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。...

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发布了文章 2024-3-1 09:51

半导体设计面临高电压挑战高压功率器件设计挑战如何破？

基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高，所以MOSFET占据了市场主导地位，并广泛用于各类电力电...

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发布了文章 2024-2-29 10:37

浅析直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑

充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。...

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发布了文章 2024-2-27 11:38

安森美推出第7代绝缘栅双极晶体管技术的1200V SPM31智能功率模块

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。...

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发布了文章 2024-2-27 09:56

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括：选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点，或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。...

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发布了文章 2024-2-23 09:38

功率MOSFET的雪崩效应

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。...

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发布了文章 2024-2-22 09:15

设计高输出功率预调节器时使用散热片的效果

自动驾驶是所有汽车OEM在这个时代面临的新一波重要趋势，车辆内的电子控制单元（ECU）数量急剧增加。其中涵盖了诸多应用，例如驾驶辅助摄像头、数据融合ECU以及它们各自的功耗管理。根据应用和操作范围，预调节器的输出功率范围不等，小至停车辅助E...

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发布了文章 2024-2-21 09:17

安森美汽车图像传感器发展趋势

一切始于18年前我开始研究用于后视摄像头（RVC）的一种首款汽车CMOS图像传感器。在当时，配备RVC以帮助驾驶员看到汽车后方是一项伟大创新。二十年后的今天，RVC已成为现代车辆的标配，且更多的摄像头为高级驾驶辅助系统（ADAS）奠定了基础...

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发布了文章 2024-2-20 16:06

“把脉”汽车产业安森美2024年战略规划与布局

在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。...

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发布了文章 2024-1-26 09:35

直流充电桩(DCFC)原理剖析

充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车 (EV)的一个主要考虑因素。为了缩短充电时间，业界正转向采用直流充电桩 (DCFC)。DCFC绕过电动汽车的车载充电器，直接向电池提供更高的功率，从而大大缩短充电时间。...

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发布了文章 2023-10-10 19:10

一文读懂碳化硅设计中的热管理

点击蓝字关注我们随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。这些应用有一点非...

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发布了文章 2023-10-9 19:10

SiC 器件如何颠覆不间断电源设计?

点击蓝字关注我们不间断电源 (UPS) 和其他基于电池的储能系统可以确保住宅、电信设施、数据中心、工业设备、医疗设备和其他关键设备的持续供电。凭借先进的半导体技术，这些系统能够确保可靠供电，提供滤波功能，并在发生短期电网断电时保障供电。...

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发布了文章 2023-10-8 19:15

共创宽禁带半导体未来，看碳化硅技术如何推动下一代直流快充桩发展

点击蓝字关注我们宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据，宽禁带半导体市场的全球规模预计将从 2020...

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