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硬件工程师 广州视源电子
广东省 广州市 设计开发工程
  • 在本文中,我们将在转换函数中使用大致相当于1 ppm的非线性度表现谐波失真的–120 dBc失真。
    西西
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  • 本文介绍了DDR4技术的特点,并简单介绍了ANSYS工具用来仿真DDR4的过程。文章中主要介绍的对象为DDR4 3200MHz内存,因为硬件极客对DDR4性能的不断深挖,目前已经有接近5000MHz的量产内存。
    qtFK_EMC_EMI
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  • 扫地机器人车轮的力量决定了它的越障能力。为了能够通过厚地毯和越过门槛,其电机功率需要达到至少30W或更高。如果发生失速或过载事件,例如车轮被电线卡住,电机绕组电流将立即上升。延迟检测到这种情况会导致电机过热并缩短其寿命。
    丫丫119
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  • 凭借与众多流行SSD供应商的战略合作伙伴关系,该公司在过去几年中的产品广受好评,该公司拥有多个交钥匙解决方案。
    丫丫119
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  • 电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可,当电机需要双向转动时,可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器
    丫丫119
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  • 由电路图分析,R1和R2的作用可能有二,一是限流,二是保护。如果设计起因是出于保护作用的话,24V输入波动较大的时候,R1/R2上过流被烧掉就是正常的,谁让您把它当保险丝使用呢!但是如果出于限流的作用,则TVS的放置位置就值得商榷了。宜把TVS放置在R1/R2的左侧,这样,24V上有波动尖峰输入的时候,先从TVS泄放了,而不会连累R1/R2。
    丫丫119
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  • 全球主要半导体公司相继发布二季度财报,<电子发烧友>通过整理、对比已披露的2019二季度的营业收入,并按照“IDM”、“Fabless”、“晶圆代工”、“封装测试”四大领域分类统计出排名前十(部分前五)的企业,梳理其主要经济指标并进行简要分析。
    露露
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  • 几十年来,电子技术的进步一直由硅晶体管尺寸的不断缩小而推动。然而,硅晶体管缩小变得越来越困难,现在的收益正在递减。
    丫丫119
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  • GD32VF103系列MCU采用了全新的基于开源指令集架构RISC-V的Bumblebee处理器内核,是兆易创新(GigaDevice)携手中国领先的RISC-V处理器内核IP和解决方案厂商芯来科技(Nuclei System Technology)面向物联网及其它超低功耗场景应用自主联合开发的一款商用RISC-V处理器内核。
    丫丫119
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  • 使用供应商提供的评估板,即可轻松领略这些运算放大器众多性能的巧妙之处。所幸,供应商产品组合中采用给定封装的运算放大器引脚布局大多已经标准化(很大程度上算是业内普遍情况),因此只需一块评估板即可评估多种型号的运算放大器。
    丫丫119
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  • 图3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的输出特性对比。常温下,两个器件在40A电流下的导通压降相同。当小于40A时,CoolSiCTMMOSFET显示出近乎电阻性的特性,而IGBT则在输出特性上有一个拐点,一般在1V~2V, 拐点之后电流随电压线性增长。
    QjeK_yflgybdt
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  • 开关电源和Class D功放,因为电路工作在开关状态,大大降低了电路的功率损耗,在当今的电子产品中得到了广泛的应用。由于寄生电感和寄生电容的存在,电路的PWM开关波形在跳变时,常常伴随着振铃现象。这些振铃常常会带来令人烦恼的EMC问题。
    电子工程师
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  • 在2009年全球前五十大无晶圆厂IC供货商排行榜中,只有1家是来自中国的业者,到2016年中国无晶圆厂IC供货商数量已经增加到11家;而从2010年以来,无晶圆厂IC供货商中市占率成长最快的是中国业者,由2010年的5%在2016年增加到了10%。
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  • 什么是闪存?闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
    小刘
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  • [组图]功率合成 2006-04-15 20:53
    电子工程师
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