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MOSFET电路栅源极GS之间为什么需要并联一个电容？居然能解决MOS误导通的问题？

Part 01 前言在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的变化率，即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。一般想到dv/dt，我们第一反应是高dv/dt会导致强烈的电磁干扰，影响周围的敏感电路，降低...

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QAQ嘤嘤嘤赞同了文章 2025-1-21 16:10

什么是LDO？浅析低压差稳压器 (LDO) 中的噪声及电源抑制比

在本文中，我们将介绍低压差 (LDO) 稳压器中噪声和电源抑制比 (PSRR) 的影响。让我们简单讨论一下什么是 LDO。...

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QAQ嘤嘤嘤关注了专栏 2025-1-20 14:46
QAQ嘤嘤嘤下载了资料 2024-12-27 15:40

IPC-2221印制板设计通用标准中文版.pdf
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Lattice_MachXO系列FPGA开发板电路原理图
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电路设计实例（纽扣型可再充电锂离子电池充电电路）
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RTL8211DN应用原理图pdf下载
QAQ嘤嘤嘤下载了资料 2022-12-28 13:45

千兆网络PHY芯片 RTL8211E的实践应用（原理图及PCB实现）

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