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summao

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半导体三极管参数符号及基础知识

2008-6-7 13:21

<strong><font face="宋体" size="3"><br/></font></strong>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">一、晶体管基础 </font></p>
<p align="left">
<table width="100%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="24%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351300.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td>
<td width="76%" COLOR: #333333?><font face="宋体">PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。</font></td></tr></tbody></table></p>
<p align="left">
<table width="102%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="59%"><font face="宋体">如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。</font></td>
<td width="44%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351301.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td></tr></tbody></table></p>
<p align="left">
<table width="100%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="24%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351302.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td>
<td width="76%"><font face="宋体">金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS&gt;VT 并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。</font></td></tr></tbody></table></p>
<p class="titleb" align="left"><font face="宋体" size="3">二、晶体管的命名方法</font></p>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。</font></p>
<p><font face="宋体" size="3">按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料;B代表NPN型锗材料;C为PNP型硅材料;D为NPN型硅材料。第三位表示用途,其中X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。</font></p>
<p><font face="宋体" size="3"> 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。</font></p>
<p class="titleb"><font face="宋体" size="3">三、 常用中小功率三极管参数表</font></p>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">四、用万用表测试三极管<br/>(1) 判别基极和管子的类型<br/>   选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。</font></p>
[此贴子已经被作者于2008-6-7 13:23:01编辑过]

回帖(3)

summao

2008-6-24 16:31:27
<div style="LINE-HEIGHT: 22px; HEIGHT: 22px"><img alt="表情" src="http://www.avrw.com/bbs/pic/Face/1.gif" align="absMiddle"/><strong>三极管基本知识大全<br/></strong></div>半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。三极管 的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观如图,大的很大,小的很小。三极管的电路符号有两种:有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 <br/>
<p>  电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管) 等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子爱好者最好还是了解一下: <br/>&nbsp;&nbsp; <br/>  第一部分的3表示为三极管。 第二部分表示器件的材料和结构,A: PNP型锗材料 B: NPN型锗材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 第三部分表竟δ埽琔:光电管 K:开关管 X:低频小功率管 G:高频小功率管 D:低频大功率管 A:高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。 </p>
<p>  三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当</p>
<p>  三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。 </p>
<p>  三极管还可以作电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器。 </p>
<p>  半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件 </p>
<p>  1. 扩流。 </p>
<p>  把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其最大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图 1 。图 2 为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图 3 可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。 </p>
<p>  2. 代换。 </p>
<p>  图 4 中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图 5 中的三极管可代用 8V 左右的稳压管。图 6 中的三极管可代用 30V 左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。</p>
<p>  3.模拟。 </p>
<p>  用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅,用图 7 电路可作模拟品,调节 510 电阻的阻值,即可调节三极管 C 、 E 两极之间的阻抗,此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图 8 为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是:当加到 A 、 B 两端的输入电压上升时,因三极管的 B 、 E 结压降基本不变,故 R2 两端压降上升,经过 R2 的电流上升,三极管发射结正偏增强,其导通性也增强, C 、 E 极间呈现的等效电阻减小,压降降低,从而使 AB 端的输入电压下降。调节 R2 即可调节此模拟稳压管的稳压值,等效为<br/> </p>
<p align="center"><a href="http://images.blogcn.com/2005/11/24/4/cijun2008,2005112472558.jpg" target="_blank"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.ejdz.cn/dzyj/im/cijun2008.jpg"  usemap="#Map" border="0"/></a></p>

sgh0426

2012-4-10 05:31:43
从零开始!

徐思龙

2019-8-22 08:22:03
不错,很好的经验分享,辛苦麻烦了,欠缺这方面的资料,非常感谢

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