<strong><font face="宋体" size="3"><br/></font></strong>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">一、
晶体管基础 </font></p>
<p align="left">
<table width="100%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="24%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351300.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td>
<td width="76%" COLOR: #333333?><font face="宋体">PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从
发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极
晶体管
电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。</font></td></tr></tbody></table></p>
<p align="left">
<table width="102%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="59%"><font face="宋体">如果晶体管的共发射极电流
放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。</font></td>
<td width="44%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351301.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td></tr></tbody></table></p>
<p align="left">
<table width="100%" border="0"><font size="3"><br/><br/><font face="宋体"></font></font>
<tbody>
<tr>
<td width="24%"><font face="宋体"><img style="CURSOR: pointer" onclick="javascript:window.open(this.src);" onerror="javascript:errpic(this)" src="http://www.et-dz.com/upimg/allimg/070301/2351302.gif" usemap="#Map" border="0"/></font></td>
<td width="76%"><font face="宋体">金属氧化物
半导体场效应
三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而
电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。</font></td></tr></tbody></table></p>
<p class="
titleb" align="left"><font face="宋体" size="3">二、晶体管的命名方法</font></p>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">晶体管：最常用的有三极管和
二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。</font></p>
<p><font face="宋体" size="3">按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频
小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表
整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。</font></p>
<p><font face="宋体" size="3"> 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。</font></p>
<p class="titleb"><font face="宋体" size="3">三、 常用中小功率三极管参数表</font></p>
<p align="left"><font face="宋体" size="3">四、用
万用表测试三极管<br/>（1） 判别基极和管子的类型<br/> 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。</font></p>
[此贴子已经被作者于2008-6-7 13:23:01编辑过]
