项次 | 内容 | 原则 |
1 | 负载能力 | 选用的LDO（无论外部LDO或芯片内部LDO）负载能力降额80％后是否满足耗电要求 |
2 | 省电 | 考虑省电要求，LDO软件是否可以关断 |
3 | 滤波电容 | （1）是否设计了LDO的滤波电路 |
（2）器件或芯片的每个电源Pin是否平均分配了一个滤波小电容(0.1uF) | ||
（3）每个芯片至少提供一个滤波大电容（10uF 钽电容），如为大芯片，则至少2－4个 | ||
（4）选用大容量的钽电容要考虑ESR参数，避免选取3欧姆以上的型号 | ||
4 | 电源隔离 | （1）13MHz TCXO的供电禁止和基带数字电路共用同一个LDO |
（2）RF电路的供电禁止和基带数字电路共用同一个LDO | ||
（3）模拟电路和数字电路分开供电 | ||
5 | 上电顺序 | 同一个芯片或子系统有两个或两个以上供电源时，是否考虑了不同上电顺序的影响？是否有必要控制上电顺序 |
6 | VDDCore倒灌 | 在设计中，应避免Power Down时在VDD上的倒灌，否则由于VDD和RTCVDD之间的Leakage电流通道，会下拉RTCVDD电压，严重时芯片将无法开机 |
7 | PSRR | 是否考虑特殊电路对PSRR指标的要求，如RF/AUDIO电路要求其LDO的PSRR比较大 |
举报
举报
举报
更多回帖
