片上FLASH 闪存由两部分物理区域组成：主FLASH 存储器和启动程序存储器。
●● 主 FLASH 存储器，共 64KB，地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。该区域主要用于存放应用程序代码和用户数据，用户可编程。
●● 启动程序存储器，共 2.5KB，地址空间为 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。该区域主要用于存储 BootLoader 启动程序，在芯片出厂时已编程，用户不可更改。
FLASH 控制器实现对FLASH 的各种操作（擦除、写、读取），内部的预取缓存机制可加速CPU 代码执行速度。
FLASH 支持以字节(8bit)、半字(16bit) 或全字(32bit)3 种位宽进行访问，访问的最高频率为24MHz，如果系统配置的HCLK 时钟频率高于24MHz，则必须通过FLASH 控制寄存器FLASH_CR2 的WAIT 位域配置合理的响应等待时间，才能保证FLASH 被正确访问。
