DDR使用
在我们的项目中，我们使用的是芯来科技的DDR200T开发板，我们通过调用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化该DDR3，然后利用DMA和VDMA作为数据的缓冲模块，将SD卡和OV5640的数据搬运进DDR中。
DDR读时序介绍
DDR3读时序如下图，由于传递地址到取出数据可能有一定延时，所以设置两个计数器分别计数传递的地址和数据的次数，只要app_rdy和app_en都处于高电平，地址计数器就会开始计数，同时地址也会增加，而只要app_rd_data_valid为高电平，数据计数器就会开始计数，当地址计数器达到预设的突发长度而数据计数器还未达到时，将进入读等待状态，当数据计数器达到时，将进入读完成状态，此时也向DMA发送读突发完成信号。当接收到DMA发来的写请求信号时，状态变为写状态。
DDR写时序介绍
DDR写时序如下图所示，DDR3的写地址有效条件也为app_rdy为高电平，DDR3的写数据有效条件是app_wdf_rdy、app_wdf_wren和app_wdf_end为高电平，而且在写地址和写数据的对应中，并不一定存在时序完全相同的情况，写地址和写数据可能存在超前或滞后一到两个周期，因此在进行突发写时，应对地址传输完毕，但数据依然未读写完毕以及数据读写完毕，但地址未传输完毕两种情况进行考虑。具体来说，在写状态用来判断后者，也就是说一旦数据计数器达到突发值，才会结束写状态，进入写等待状态，而在写等待状态则是用来判断地址计数器是否也达到突发值，如果达到，则进入写完成状态，如果未达到，则继续计数直到满足突发值，在写完成状态向DMA发送写突发完成信号。
