如何在 Keil rvmdk 开发环境中启用可配置的数据闪存并设置大小？

在NuMicro®系列中，如果数据闪存大小是可配置的，则其大小将与APROM共享。要配置数据闪存，请按照以下步骤作：
In Keil µVision4/5, open the Option for target form (Flash->Configure Flash Tools)


1. 选择“实用程序”
2. 点击“设置”按钮
3. 点击“配置”按钮
4. 启用“数据闪存”;
5. 设置数据闪存大小;

在Keil MDK (μVision) 中启用可配置的数据闪存（Data Flash）并设置其大小，需要通过分散加载文件（Scatter File, .sct） 手动配置内存布局。以下是详细步骤：

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1. 理解数据闪存

• 数据闪存是Flash中用于存储非易失性数据（如参数、校准值）的区域，与程序代码分离。


• 在嵌入式系统中，数据闪存通常由链接器脚本控制，确保编译后的数据段映射到正确的地址。

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2. 步骤概览

1. 创建/修改分散加载文件（.sct）


2. 在工程中指定自定义的.sct文件


3. 在代码中声明数据闪存变量（使用 __attribute__ 或 #pragma）


4. 编译并验证

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3. 详细步骤

(1) 创建/修改分散加载文件（.sct）

• 
  

  在工程目录下新建文件（如 flash_layout.sct），输入以下内容（以ARM Cortex-M为例）：

  
  

  ; 定义内存区域
  
  LR_IROM1 0x08000000 0x000F0000  {  ; 主程序区域（起始地址+大小）
  
  ER_IROM1 0x08000000 0x000F0000  { ; 程序代码段
  
    *.o (RESET, +First)       ; 中断向量表
  
    *(.text*)                 ; 代码
  
    *(.rodata*)               ; 只读数据
  
  }
  
  ; ... 其他程序段（如.data、.bss）可放在RAM
  
  }
  
  
  
  ; 定义数据闪存区域（起始地址 = 主程序结束地址）
  
  LR_DATA_FLASH 0x080F0000 0x00010000  {  ; 数据闪存（64KB）
  
  ER_DATA_FLASH 0x080F0000 0x00010000  {
  
    *(.data_flash*)           ; 匹配特定段名的数据
  
  }
  
  }
  
  
  
  ; RAM配置
  
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  
  
  .ANY (+RW +ZI)             ; 所有RW/ZI数据
  
  }

  
  

  关键说明：

  
  
  
  
  • 0x080F0000：数据闪存起始地址（需根据芯片Flash大小调整）。
  
  
  • 0x00010000：数据闪存大小（示例为64KB）。
  
  
  • *(.data_flash*)：将所有标记为.data_flash的段放入此区域。
  
  
  
  

(2) 在Keil中配置.sct文件

1. 打开工程 → Options for Target → Linker 标签页。


2. 取消勾选 Use Memory Layout from Target Dialog。


3. 在 Scatter File 字段指定自定义.sct文件路径：
   

    .flash_layout.sct

   
   

   

(3) 在代码中声明数据闪存变量

• 
  

  使用GCC扩展语法（Keil AC6编译器）：

  
  

  // 定义常量数据（只读）
  
  const uint32_t __attribute__((section(".data_flash"))) config_data[] = {0x1234, 0x5678};
  
  
  
  // 定义非初始化数据（需通过Flash API擦写）
  
  uint32_t __attribute__((section(".data_flash"))) eeprom_buffer[1024];

  
  


• 或使用ARMCC（Keil AC5）语法：
  

  #pragma arm section rodata = ".data_flash"
  
  const uint32_t config_data[] = {0x1234, 0x5678};
  
  #pragma arm section rodata  // 恢复默认段

(4) 擦写数据闪存

• 硬件访问：通过芯片的Flash驱动API操作数据区域（需先擦除后写入）。


• 地址获取：直接使用变量地址或通过分散文件定义的符号：
  

  extern uint32_t Image$$ER_DATA_FLASH$$Base;  // 数据闪存起始地址（符号由链接器生成）

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4. 验证配置

1. 编译工程：确保无链接错误。


2. 查看Map文件：
   
   
   
   • 打开生成的 .map 文件（在Objects目录下）。
   
   
   • 搜索 ER_DATA_FLASH，确认变量地址在0x080F0000附近：
     

     Execution Region ER_DATA_FLASH (Base: 0x080f0000, Size: 0x00001000)
     
     config_data        0x080f0000   Data    8  main.o(.data_flash)

   
   


3. 硬件调试：通过Keil调试器查看Flash内容。

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常见问题解决

1. 链接错误：
   
   
   
   • 地址重叠：调整.sct文件中各区域大小/起始地址。
   
   
   • 未找到符号：检查变量是否正确定义在 .data_flash 段。
   
   


2. 数据无法写入：
   
   
   
   • 未启用写保护：调用Flash解锁函数（如HAL_FLASH_Unlock()）。
   
   
   • 地址越界：确保擦写地址在 ER_DATA_FLASH 范围内。
   
   

通过以上步骤，即可在Keil中启用并配置数据闪存区域。具体地址和API需根据芯片手册调整（如STM32的Flash操作库）。